芯耀
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一、公司背景
新凯来（全称“深圳市新凯来技术有限公司”），寓意重新凯旋归来。公司成立于2021年8月，总部位于深圳，隶属于深圳市重大产业投资集团，实控人为深圳市国资委。其前身为华为旗下半导体设备子公司，2022年因国际供应链压力被剥离后由深圳国资委接手，并注入资金与政策支持，迅速成为国产半导体设备的“黑马”。公司定位为高端半导体装备及零部件供应商，致力于通过全链路垂直整合打破海外技术垄断，推动国产替代进程。
二、核心团队与技术基础
团队构成：核心团队拥有20年以上电子设备研发经验，传闻部分成员来自华为“星光工程事业部”及国内顶尖半导体企业，与xxx国内知名厂商合作。
研发体系：在深圳、北京、上海、武汉等地设立研发中心，构建了覆盖“基础材料工艺-零部件-装备”的端到端研发体系，并设立10多个基础实验室（如等离子体、热管理等）以支撑技术创新，严格遵循一代工艺，一代材料，一代装备的研发路径。
三、旗舰产品与技术亮点
新凯来发布6 大类半导体工艺和量检测装备累计三十款左右设备。工艺装备包括外延沉积设备 EPI（峨眉山）、原子层沉积设备 ALD（阿里山）、物理气相沉积设备 PVD（普陀山）、刻蚀设备 ETCH（武夷山）、薄膜沉积设备 CVD（长白山）等。量检测产品涵盖光学检测、光学量测、PX 量测、功率检测等领域，如岳丽山 BFI（明场缺陷检测）、天门山 IBO（图形套刻量测）、沂蒙山 AFM（原子力显微镜量测）、RATE - CP（晶圆电性能检测）等。
新凯来的产品线聚焦半导体制造全流程，覆盖刻蚀、薄膜沉积、量检测等关键设备，并以中国名山命名系列产品，象征技术突破的“翻山越岭”。以下是其核心产品及创新技术：
1.刻蚀设备（ETCH）
代表产品：武夷山 1 号 / 3 号 / 5 号
技术亮点：
采用高密度等离子体技术，支持 12 英寸晶圆的精细硅 / 金属刻蚀，刻蚀速率达行业先进水平（如铝刻蚀速率 > 500 nm/min）。
配备可调节等离子体源设计，实现离子能量精准控制，确保关键尺寸（CD）均匀性误差 < 2%。
多腔室集群架构支持全自动并行工艺，维护周期长（MTBC>200 小时），适用于逻辑芯片、功率半导体等领域。
2.扩散与外延设备（EPI/RTP）
代表产品：
外延沉积设备（EPI）：峨眉山 1 号 / 2 号 / 3 号，用于第三代半导体（如 GaN、SiC）的外延层生长，厚度均匀性 < 1%。
快速热处理设备（RTP）：三清山 1 号 / 2 号 / 3 号，支持晶圆级快速退火（升温速率 > 1000℃/ 秒），适用于先进制程的激活和掺杂工艺。
3.薄膜沉积设备（PVD/CVD/ALD）
物理气相沉积（PVD）：普陀山 1 号 / 2 号 / 3 号，采用磁控溅射技术，金属薄膜厚度均匀性 < 3%，支持铜互连、阻挡层等工艺。
化学气相沉积（CVD）：长白山 1 号 / 3 号，覆盖氧化硅、氮化硅等介质薄膜沉积，台阶覆盖率 > 95%，适用于 3D NAND 存储结构。
原子层沉积（ALD）：阿里山 1 号 / 2 号 / 3 号，实现单原子层精度的薄膜生长（如 Al₂O₃厚度误差 < 0.1 nm），支持 5nm 以下先进制程。
4.物理量测设备
原子力显微镜（AFM）：沂蒙山 AFM，分辨率达 0.1 nm，用于纳米级表面形貌分析，支持晶圆粗糙度、线宽量测。
X 射线光电子能谱（XPS）：赤壁山 XP，元素检测灵敏度 < 0.1 at.%，用于薄膜成分分析，已在客户端稳定运行超 2 万小时。
5.X 射线量测设备
X 射线衍射（XRD）：赤壁山 XD，晶体结构分析精度达 0.01°，支持外延层应力测量。
X 射线荧光（XRF）：赤壁山 XF，金属杂质检测限 < 1 ppb，适用于晶圆污染分析。
6.光学量检测设备
明场缺陷检测（BFI）：岳丽山 BFI，采用 LSP 光源（亮度超太阳），支持 10nm 以下缺陷检测，检出率 > 99.9%。
暗场缺陷检测（DFI）：丹霞山 DFI，灵敏度达 0.5nm，适用于逻辑芯片和存储器件的关键层检测。
光学量测（IBO/DBO）：天门山系列，套刻精度 < 1nm，支持 3D NAND 的层间对准测量。
量检测装备技术突破
光学量检测
(1)核心技术：LSP 光源技术（激光维持等离子体发光），实现高亮度宽谱光源（170-2100 nm），功率稳定性 < 0.3% RMS。
应用场景：逻辑芯片的金属互连层缺陷检测、存储芯片的 3D 堆叠结构完整性分析。
(2) PX 量测（物理与 X 射线）
原子力显微镜（AFM）：采用纳米级探针技术，支持晶圆表面粗糙度、薄膜应力的高精度测量。
X 射线组合技术：XPS/XRD/XRF 集成，实现材料成分、晶体结构、元素分布的多维度分析。
(3) 功率检测
晶圆电性能检测（RATE-CP）：支持 50MHz 以下射频参数测试，适用于功率半导体的晶圆级筛选。
成品率提升：通过缺陷分类（如颗粒、线宽异常）和工艺溯源，帮助客户将良率提升 5%-10%
7. 光刻机技术创新
非光学补光技术：针对光刻机禁运限制，新凯来提出“先进光刻+非光补光”路径，通过多重图形曝光（如SAQP自对准四重图形曝光）、自对准沉积等技术，绕开传统光刻限制，提升制程精度。采用自对准四重成像（SAQP）技术，结合华为海思算法优化，来提升光刻精度。SAQP 技术是从自对准双重图形化（SADP）技术发展而来，通过在硅晶圆上进行多次蚀刻，增加晶体管密度从而提升芯片性能。其利用深紫外光刻（DUV）设备，通过特殊的算法和工艺步骤，将原本 DUV 光刻机的精度提升 300%，以实现更高分辨率的图形转移，达到接近 EUV 光刻机的 5nm 制程水平。
关键参数：支持20-65nm工艺节点，分辨率达1微米，投影成像质量达90%，处理器速度较上代提升25%。其光刻机采用自主生产的核心材料（如光刻胶），打破海外技术依赖。
成本优势：通过国产化供应链和规模化生产，设备价格较国际同类产品大幅降低，且售后服务响应速度行业领先。
四、竞争力表现
1. 技术对标国际巨头
新凯来的设备性能直接对标应用材料、东京电子等企业，如武夷山刻蚀机良率已追平台积电5nm工艺，ALD设备精度超越日企，填补国产高端设备空白。
2. 产业链协同效应
依托深圳国资委的资源整合能力，与xxx等国内知名厂商建立合作，形成“设备-晶圆厂”闭环，加速产品验证与量产。
3. 市场响应与国产替代
受地缘政治推动，新凯来设备已获xxx等头部客户采购，其光刻机相关技术突破带动国产光刻胶、湿电子化学品等配套产业股价飙升（如新莱应材、江化微等）。
4. 政策与资本支持
国家大基金二期注资50亿元，深圳国资委提供资金与政策倾斜，助力研发投入与产能扩张。
新凯来凭借技术积累及产业链协同，在刻蚀、沉积等设备领域实现突破，其光刻机技术通过非传统路径绕开封锁，展现了国产半导体设备的创新潜力。未来需持续突破光刻机核心技术（如EUV光源），但现有成果已为国产替代注入强心剂，并引发国际巨头价格调整（如应用材料对华设备降价25%）。
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