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新品推荐 | 基本半导体推出正激DCDC开关电源芯片BTP1521x

09/03 09:57
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驱动隔离电源专用的正激DCDC芯片BTP1521x    

图1 带封装文字.png

基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片,集成上电软启动功能及过温保护功能,输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设定,最高工作频率可达1.3MHz,适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。芯片有SOP-8封装、DFN3*3-8封装两种封装形式。

    功能框图    
图片
    产品特点    

  • 输出功率可达6W
  • 软启动时间1.5ms
  • 工作频率可编程,最高工作频率可达1.3MHz
  • VCC供电电压可达20V
  • VCC欠压保护点4.7V
  • 工作环境温度-40~125℃
  • 芯片过温保护点160℃,过温恢复点120℃

    推荐电路    

BTP1521x推荐电路(功率小于6W情况下)
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DC1和DC2接变压器原边线圈,副边二极管桥式整流,组成开环的全桥拓扑(H桥逆变),输出功率可达6W, 输出经过电阻稳压管分压后构成正负压,供SiC MOSFET使用,非常适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。

    BTP1521x推荐电路(功率大于6W情况下)    
图片当副边需求功率大于6W时, 可以使用推挽逆变拓扑,通过DC1和DC2 端控制外接的MOSFET来增加输出功率。

    应用领域    

    典型应用    

针对碳化硅MOSFET的隔离驱动电源应用

(BTP1521x搭配电源变压器TR-P15DS23-EE13)
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  • 针对+18/-4V碳化硅MOSFET隔离驱动电源
  • 副边两路输出,单路输出功率可达2W,总输出功率4W
  • 输入电压15V,副边全桥整流输出全电压(VISO-COM=23.3V)
  • 输出全电压通过4.7V的稳压管,将全电压拆分成正电压(VISO-VS=18.6V)、负电压(COM-VS=-4.7V)
  • BTP1521的OSC管脚通过电阻R5=43kΩ接地,设置工作频率为f=469kHz
  • 建议在PCB布局时,将底部散热焊盘连接到芯片GND(针对DFN3*3-8封

双通道电源变压器TR-P15DS23-EE13介绍
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  • TR-P15DS23-EE13驱动器专用的隔离电源变压器,采用EE13骨架,可实现驱动器隔离供电,传输功率可达4W (每通道2W)
  • 如上原理框图中,N1原边线圈,N2和N3是副边线圈
  • 采用EE13磁芯,磁芯材质铁氧体

    参考设计    

碳化硅MOSFET驱动板参考设计一

(针对34mm碳化硅MOSFET模块)
图片

  • 即插即用驱动板型号为BSRD-2427-ES01
  • 2通道输出,单通道输出功率2W
  • 驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A,无须外置推动级
  • 可支持1200V的功率器件(34mm碳化硅MOSFET模块)

碳化硅MOSFET驱动板参考设计二

(针对Easy系列碳化硅MOSFET模块)
图片

  • 即插即用驱动板型号为BSRD-2423-ES01
  • 两组输入电压,分别是24V和5V
  • 2通道输出,单通道输出功率2W
  • 驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A,无须外置推动级
  • 可支持驱动1200V的功率器件(SiC MOSFET)

大大通

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