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基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片,集成上电软启动功能及过温保护功能,输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设定,最高工作频率可达1.3MHz,适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。芯片有SOP-8封装、DFN3*3-8封装两种封装形式。
功能框图

产品特点
- 输出功率可达6W
- 软启动时间1.5ms
- 工作频率可编程,最高工作频率可达1.3MHz
- VCC供电电压可达20V
- VCC欠压保护点4.7V
- 工作环境温度-40~125℃
- 芯片过温保护点160℃,过温恢复点120℃
推荐电路
BTP1521x推荐电路(功率小于6W情况下)

DC1和DC2接变压器原边线圈,副边二极管桥式整流,组成开环的全桥拓扑(H桥逆变),输出功率可达6W, 输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压,供SiC MOSFET使用,非常适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。
BTP1521x推荐电路(功率大于6W情况下)
当副边需求功率大于6W时, 可以使用推挽逆变拓扑,通过DC1和DC2 端控制外接的MOSFET来增加输出功率。
应用领域
典型应用
针对碳化硅MOSFET的隔离驱动电源应用
(BTP1521x搭配电源变压器TR-P15DS23-EE13)

- 针对+18/-4V碳化硅MOSFET隔离驱动电源
- 副边两路输出,单路输出功率可达2W,总输出功率4W
- 输入电压15V,副边全桥整流输出全电压(VISO-COM=23.3V)
- 输出全电压通过4.7V的稳压管,将全电压拆分成正电压(VISO-VS=18.6V)、负电压(COM-VS=-4.7V)
- BTP1521的OSC管脚通过电阻R5=43kΩ接地,设置工作频率为f=469kHz
- 建议在PCB布局时,将底部散热焊盘连接到芯片GND(针对DFN3*3-8封
双通道电源变压器TR-P15DS23-EE13介绍

- TR-P15DS23-EE13是驱动器专用的隔离电源变压器,采用EE13骨架,可实现驱动器隔离供电,传输功率可达4W (每通道2W)
- 如上原理框图中,N1原边线圈,N2和N3是副边线圈
- 采用EE13磁芯,磁芯材质铁氧体
参考设计
碳化硅MOSFET驱动板参考设计一
(针对34mm碳化硅MOSFET模块)

碳化硅MOSFET驱动板参考设计二
(针对Easy系列碳化硅MOSFET模块)

- 即插即用驱动板型号为BSRD-2423-ES01
- 两组输入电压,分别是24V和5V
- 2通道输出,单通道输出功率2W
- 驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A,无须外置推动级
- 可支持驱动1200V的功率器件(SiC MOSFET)
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