等离子体除胶渣原理

什么时候会除胶渣？

常见场景：

PCB 激光钻孔/机械钻孔后的树脂去除

IC 封装工艺中去树脂

TSV 孔内去 polymer

封装 RDL 工艺中的有机残留清洁

PI/BCB/ABF 等聚合物表面洁净

这是因为机械钻孔或激光钻孔时会产生高温，导致孔壁上的绝缘树脂（胶）熔化，糊在内壁上。除胶渣的原理？

首先，向真空腔体内通入特定的工艺气体，通常是 四氟化碳 (CF4) 混合 氧气 (O2)。在射频电源的作用下，电子与气体分子碰撞，产生高活性的自由基。

反应方程式：

CF₄ + e⁻ → ·CF₃ + ·F + e⁻·CF₃ + ·O + e⁻ → COF₂ + ·F
有机物 = C-H、C-C、C-O 键，这些键都可以被 O· 或 F· 氧化/断裂。

O· → 将聚合物氧化为 CO、CO₂

F· → 将聚合物氟化为 CFₓ、COF₂

为什么选择 CF4 + O2 组合？

这是一种经典的协同效应：

单用 氧气 (O2)：虽然能烧掉胶，但反应速度慢。

单用四氟化碳 (CF4)：虽然能打断键，但容易在表面形成聚合物沉淀。

混合使用： 氟原子能大幅降低树脂表面的活化能，让氧原子更容易与其反应。混合气体的除胶速率比单独使用任何一种气体都要快几十倍。

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