一文看懂!台积电为何要用SiC中介层?
《2026碳化硅(SiC)衬底与外延产业调研白皮书》正在进行紧锣密鼓的调研工作。台积电已经向部分企业提出较为明确的12英寸中介层SiC衬底需求,今年将开启交付,明年需求预期量将翻倍增长。 台积电为何探索SiC中介层路线?台积电的CoWoS封装遇到什么难题?SiC中介层如何帮助解决问题? 为什么需要中介层? 中介层通过高密度水平互连与超短垂直互连的组合,解决芯片间的横向通信带宽和纵向对外连接的瓶颈问题。 中介层类型及其应用: 常见的中介层结构包括硅中介层、再分布层(RDL)、嵌入式硅桥(LSI)、玻璃中介层、SiC中介层、金刚石中介层和陶瓷中介层等。 CoWoS技术路线: 台积电有三种CoWoS技术路线,其中SiC中介层可用于CoWoS-S和CoWoS-L。 CoWoS-S与CoWoS-R的中介层材料变化: CoWoS-S采用硅中介层,而CoWoS-R则采用聚合物RDL。 CoWoS-L的中介层结构: CoWoS-L采用硅桥小芯片(LSI)替代硅中介层。 CoWoS-L的优势: CoWoS-L的成本低于CoWoS-S,且不影响性能。 SiC中介层的机会: SiC中介层在CoWoS-L中仍有潜力,尤其是在应对更高功率GPU的散热挑战方面。 总结: SiC中介层不仅能提升散热性能,还能增强机械强度、改善信号传输完整性和缩小封装尺寸。随着CoWoS-L技术的发展,SiC中介层有望成为高级封装的重要解决方案之一。