光模块的上游核心芯片@EML芯片

EML芯片是实现800G、1.6T高速光模块的核心光源；拥有较高的技术壁垒。比如上次聊到的Lumentum @EML激光器芯片。    由于这几年的CPO热度很大，很多国内的企业也是开始研发和陆续量产。其中源杰科技是国内少数实现EML芯片商业化落地的企业。目前，公司自研的100G EML芯片，可应用于400G和800G光模块。

200G也在开发阶段。看一下100G和200G EML芯片的区别有哪些

工艺上的区别是

100G EML 多采用对接再生长（Butt-Joint Regrowth）工艺，DFB激光器与EAM调制器分段制作，存在界面损耗与模式失配问题。

200G EML 全面转向选择性区域生长（SAG）与量子阱混杂（QWI）技术：

通过一次外延实现增益区与调制区的单片集成

界面损耗降至＜0.5 dB（100G版本为1.2-1.5 dB）

支持更复杂的DFB光栅设计（如λ/4相移光栅）

国内目前也有几家公司说是可以量产200G EML芯片，比如光迅科技、长光华芯。100G的 EML芯片还是会比较好做点，华工科技、光库都有相关信息发出。

市场预计会一直紧俏到2027年，很多国内的研发和生产也会在2026年开始稳定良率。