半导体设备中的光刻机,当芯片线宽到1um之下,aligner就有点做不出来,就需要用步进式光刻机。
接触式曝光机 vs Stepper
| 对比维度 | Contact Aligner (接触式) | Stepper (步进式) |
|---|---|---|
| 工作原理 | 掩模版紧贴晶圆,1:1直接曝光 | 投影式曝光,通过镜头缩微成像 |
| 曝光方式 | 整个光罩图形一次性曝光 | Step & Repeat(步进重复)方式 |
| 分辨率 | 约 1μm(硬接触模式可达0.8μm) | 0.08μm - 0.4μm(80nm - 400nm) |
| 套刻精度 (Overlay) | 正面±0.5μm / 背面±1.0-1.5μm | 可达 80nm - 100nm |
| 成像倍数 | 1:1直接复制 | 通常有缩比(如4:1或5:1) |
| 掩模版寿命 | 直接接触,寿命较短 | 无接触投影,寿命较长 |
最近国内外的stepper光刻机也看了不少,国内的有上海微、四十五所、稳顶聚芯:国外的6寸线只能二手了。
尼康 NSR-1755 i7 光刻机工艺能力参数表
| 工艺参数 | 规格 | |
|---|---|---|
| 光源类型 | i-line(汞灯) | |
| 光源波长 | 365nm | |
| 分辨率(线宽/线距) | 0.6μm(L&S) | |
| 适用晶圆尺寸 | 4英寸/6英寸(100mm/150mm) | |
| 部分资料提及支持尺寸 | 200mm(8英寸) | |
| 适用产品类型 | MEMS、先进封装、成熟工艺节点生产 | |
| 曝光时间 | 最快可达10毫秒(i7B版本) | |
| 设备年代 | 1991年生产(i7B序列号示例) |

其他的就是佳能、ASML
二手stepper怕有坑,好机况、好点下线时间的设备不好碰。有点纠结,国产or二手了,大家觉得哪种好用?
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