芯耀
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2025年国产柔性屏出货率已经占6成以上，柔性屏已经成为智能手机主流屏幕显示技术。AMOLED屏幕凭借其自发光，高对比度，响应速度快，高屏占比，低功耗等优势成为中高端手机的首选。
日常生活中，随着指纹和面容识别，二维码支付的普及，加上户外强光触发的高亮度，均需要全屏提亮，对屏驱IC可以支持的负载电流提出了更高的要求。数模龙头艾为电子首推25球1.2A带载 AMOLED屏幕电源驱动芯片：AWP37579CSR，封装面积是第一代25球屏驱IC AW37577ECSR的96%，通过整体电路以及工艺优化，带载能力从800mA提升到1.2A，助力手机户外亮度提升，改善户外用户体验。
01、持续提升用户视觉体验
“1.2A驱动能力”助力户外显示效果提升
手机亮度近些年一直是各大终端的宣传亮点之一，2025年发布的国产旗舰机可以支持的HBM亮度达到1800nits，2026年会向2000nits甚至2200nits转变。AWP37579CSR通过整体电路以及工艺优化，在电池电压2.9V下可以满足1.2A的带载能力要求。
图1 手机屏幕亮度与负载电流的对应关系
图2 AWP37579CSR带载能力曲线
从“源”端优化闪屏
目前使用的直板屏幕ELVDD电压一般是固定的4.6V，屏驱IC输入电压供电范围2.5V~4.8V，因此ELVDD通路需要通过Boost架构去升压，实际手机在满充时电压会达到4.7V左右，对同步Boost来讲无法实现100%的占空比，因此在Boost的输入和输出接近的时候要引入Downmode模式，通过体二极管进行续流，由同步Boost变换成异步Boost来实现。手机系统在满充时后级可能会存在瞬态抽载导致供电端电压出现较大的波动，PMIC在Boost和Downmode之间反复切换，最终导致闪屏。
AWP37579CSR一方面将进入Downmode对应的VIN电压点提高到4.56V，进入Downmode的概率更小；另一方面将VOUT和负载电流的变化引入环路，调节进出Downmode所需的占空比变化，在输入电压频繁快速跳变的情况下，环路响应速度更快，常用负载10~200mA下ELVDD纹波在20mV水平，有效优化闪屏问题。
图3 模式切换示意图
图4 ELVDD模式切换波形
02、提升电池续航能力
支持更低的IC正常工作电压
国产旗舰机电池已经进入7000mAh时代，随着硅基负极电池的应用与普及，电池的厚度可以做到8mm左右，在实现超长续航的同时又轻薄。
硅基负极电池最低电压可以到2.75V，为了适应硅基负极电池下沉趋势，AWP37579CSR UVLO 阈值做到2.05V，同时在输入电压2.5V条件下，可保证1A的输出电流能力。
支持息屏显示（AOD）低功耗模式
AMOLED屏幕每一个像素点独立控制且自发光，使AOD模式成为可能。AOD模式下通过点亮部分像素点显示日期和时间等信息，仅显示区域耗电，可大幅减小电池功耗。目前发布的国产旗舰机可以支持最小1~2nits的亮度。AWP37579CSR可以通过AS脉冲指令进入降频模式，大幅度优化1~50mA负载区间内效率，降低功耗。如图5所示，VIN=3.7V，ELVSS=-1V，10mA负载下AOD模式屏驱IC的效率可提高近10%。
图5 AOD低功耗模式效率对比曲线
支持更宽的ELVSS电压域
手机屏幕日常使用亮度下ELVSS电压一般为-1V~-2V，可以保证整个屏幕面板所以像素点都可以正常发光，第一代25球AMOLED驱动可支持ELVSS的最高电压为-1V。随着屏幕发光材料的优化，发光点像素的正向导通压降下降，ELVSS电压有了进一步升高的趋势。AWP37579CSR支持ELVSS输出电压范围达到-0.5V，在保证正常发光的同时，可以进一步降低功耗。日常使用亮度下，假设流过整个面板平均电流为200mA，-0.5V相比于-1V的ELVSS电压，屏幕功耗直接降低100mW，面板功耗下降约10%，平均每天续航可提高2%~3%。
图6 屏幕面板简化模型
03、小型化：为手机主板黄金面积节省空间
国产旗舰机的电池容量越来越高，但同时手机厚度只能维持在7~8mm，只能通过减小手机主板面积来为大容量电池腾出空间，主板面积减小意味着IC更加集成，PCB密度更高，外围器件尺寸更小。第一代25球屏驱IC典型应用是L1=4.7μH（ELVDD），L2=2.2μH（ELVSS）和L3=10μH（AVDD）。AWP37579CSR在支持第一代外围器件的基础上，增加对更小感值支持（L1=2.2μH(ELVDD), L2=1.0μH (ELVSS) 和L3=4.7μH(AVDD)）。对同类型电感而言，感值越小，电感饱和电流越大，换而言之，支持更小感值的电感可以降低目前电感尺寸，给手机主板让出更多空间，同时针对同类型电感，小感值会带来DCR降低，重载损耗降低，提升效率、减小热量、提升手机亮度。
图7是AMOLED驱动IC及外围参考布局，三通道电感尺寸均由2520减小到2016，再加上IC减小的封装面积，IC及外围器件的有效面积由29.44mm2降低到23.91 mm2，降低18.8%左右。
图7 芯片及外围布局示意图
04、信号满格，带来无限畅玩体验
不只更快更强，更是更稳更聪明：让高亮显示与信号从此和谐共存，在日常使用手机或平板时，您是否遇到过这些恼人的瞬间？
场景一：通勤路上的关键时刻
您正坐在高速行驶的地铁或高铁上，重要客户发来视频会议邀请。您接起电话，屏幕亮起，准备沟通细节。然而，画质精美的OLED屏幕似乎成了信号的“杀手”——对方的声音开始断断续续，画面卡顿，甚至通话意外中断。这很可能就是因为屏幕电源的电磁噪声干扰了设备在高速移动中已脆弱的基站信号接收。
场景二：家中的娱乐死角
周末晚上，您蜷在客厅角落的沙发里，准备享受一部高清流媒体电影。手机屏幕点亮，色彩绚烂。但当您连接蜂窝网络后，视频却频繁缓冲，甚至自动降为模糊画质。您可能归咎于楼宇间信号差，附近基站远，但真相或许是：屏幕全亮时产生的干扰，恰好影响了设备对蜂窝的信号接收，让您错失了最佳的观影体验。
这些问题背后的共同元凶，很有可能是OLED屏幕电源芯片工作时产生的电磁噪声（Desense）。它像一道无形的“杂波屏障”，削弱了设备接收微弱射频信号的能力，直接导致信号格虚高、通话掉线、网速下降。
数模龙头艾为电子带来根本性的解决方案——AWP37579CSR超低Desense的AMOLED Power IC。不仅追求电源的高效与稳定，更致力于从源头净化电磁环境，让显示与通信这对“室友”从此和谐共存，互不干扰。搭载艾为芯片的设备，在电梯、车库、高速移动中，通话更清晰，视频会议更流畅，在线游戏延迟更低，减少“关键时刻掉链子”的尴尬。
更优的EMC性能也为工程师提供了更高的射频性能冗余， 射频工程师无需为规避干扰而采用复杂昂贵的多层板设计或额外屏蔽罩以及其他规避措施，显著降低BOM成本和结构设计难度。助力设备“全场景稳定连接”。
艾为提供的不仅是一颗芯片，更是一种让高端设备告别信号焦虑的确定性。 让我们携手，共同定义下一代智能终端的基础体验。
05、AWP37579CSR产品介绍
- Input voltage: 2.5V ~ 4.8V
- Excellent line and load transient response
- Programmable output voltage by ESWIRE from 4.6V to 5V in 100mV steps (Default: 4.6V)
- Programmable output voltage by ESWIRE from -6.6V to -0.5V in 12.5mV steps (Default: -4V)
- Programmable output voltage by ASWIRE from 6.5 V to 8.0V in 50mV or in 100mV steps (Default: 7.6V)
- Max Output current for ELVDD and ELVSS
- 1000mA @ VIN=2.5V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -4V
- 1000mA @ VIN=2.7V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -5.5V
- 1200mA@ VIN=2.9V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -4V
- 150mA Max Output current for AVDD
- Short Circuit Protection (SCP)
- WLCSP 2.017×2.017 - 25B
图8 AWP37579CSR pin map
图9 AWP37579CSR典型应用图
