CMOS芯片共面度不良，白光干涉解决对焦偏移、景深不足问题

引言

CMOS芯片作为半导体器件的核心组成部分，共面度精度直接决定封装可靠性与信号传输稳定性，共面度不良会导致芯片与基板贴合不严、引脚接触不良，进而引发电路故障。当前，CMOS芯片朝着微型化、高密度方向发展，共面度测量需兼顾微观精度与大范围检测，传统测量技术普遍存在对焦偏移、景深不足等问题，无法精准捕捉微小共面度偏差，因此，采用白光干涉技术构建共面度测量方案，是解决对焦偏移、景深不足，实现CMOS芯片共面度精准检测的关键。

CMOS芯片共面度不良的危害及测量难点

CMOS芯片共面度不良主要表现为芯片表面起伏、引脚高度偏差，会导致封装过程中应力分布不均，引发芯片开裂、引脚脱落，影响器件使用寿命；同时，共面度偏差会造成信号传输延迟、接触不良，导致芯片功能失效。此外，CMOS芯片尺寸微小、表面结构复杂，共面度测量需同时检测芯片表面与引脚的高度差，传统测量技术易出现对焦偏移，无法精准对准测量靶点，且景深不足，难以兼顾芯片表面整体与局部的测量需求，导致测量精度偏低、数据偏差较大。

实践表明，CMOS芯片共面度仅0.3μm的偏差，就会导致引脚接触不良概率提升50%，封装合格率下降35%；而对焦偏移与景深不足会使测量误差扩大40%以上，无法满足芯片精密检测需求。批量生产中，传统测量效率低下，难以适配在线管控，易导致不合格产品流入下游，增加生产成本。

白光干涉测量方案及优势

针对CMOS芯片共面度测量的难点及对焦偏移、景深不足问题，构建基于白光干涉技术的共面度精准测量方案。该方案利用白光干涉的高相干性，通过精准控制干涉条纹，有效解决对焦偏移问题，可精准对准芯片表面及引脚测量靶点；同时，优化光学系统设计，提升测量景深，实现芯片表面整体与局部微小区域的同步精准检测，精准获取共面度偏差、引脚高度差等关键参数。

该方案具备高精度、抗干扰、景深充足的核心优势，测量精度达纳米级，可有效避免对焦偏移导致的测量误差，兼顾微型化CMOS芯片的全面检测需求，检测效率较传统方法提升8倍以上，适配批量生产在线管控。通过该方案，可精准识别共面度不良隐患，从源头提升CMOS芯片封装质量，解决对焦偏移、景深不足的测量难题，为芯片生产质量管控提供可靠支撑。新启航 专业提供综合光学3D测量方案

多功能面型干涉仪——CMOS芯片精密测量解决方案

多功能面型干涉仪，以“分层扫描+200mm大视野+纳米精度”为核心，单台设备即可实现亚微级平面度、深孔台阶、陡峭锥面角度与3D轮廓的一站式精密测量，精准适配CMOS芯片全场景检测需求，赋能半导体产业精密管控。

四大核心技术革新

一、大视野平面度测量，兼顾精度与效率

突破行业痛点，解决传统白光干涉技术“小视场高精度、大视场精度不足”的难题，实现大视场下的亚微米级测量能力与纳米级精度保障。设备可达到极致75nm平面度测量精度，单视场23mm一次成像，支持拼接扩展至200mm超大视场，高效适配CMOS芯片大视野形貌测量需求。

（图示为CMOS感光芯片大视野形貌测量，清晰呈现芯片全域形貌，为芯片整体质量检测提供支撑）

（图示为实测COB感光芯片局部形变图，精准捕捉芯片局部形变细节，助力芯片性能优化）

二、自动化批量测量，适配规模化需求

单幅视野可达23×18mm，支持最大200mm视野全自动跑点测量，大幅提升测量效率，适配CMOS芯片批量检测场景。针对更大视野、更高要求的特殊应用场景，可提供专属非标定制方案，满足多样化检测需求。

三、上下平面平行度测量，突破检测局限

采用独特光路设计，可透过CG玻璃实现内部COB感光芯片形变测量，无需拆解样品，避免对芯片造成损伤，精准获取芯片内部形变数据，为芯片封装及性能检测提供可靠依据。

四、非标定制+动态测量，拓展应用边界

支持非标定制方案，可在真空腔体内完成温度变化过程中的ODS工作形变测量，实现实时动态3D形貌监控，适配CMOS芯片极端环境下的检测需求，进一步拓展设备应用场景。

新启航半导体，专业提供综合光学3D测量解决方案，深耕CMOS芯片检测领域，以核心技术赋能半导体产业高质量发展！