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浅谈压控振荡器VCO相位噪声的特性与抑制方法

3小时前
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一、什么是相位噪声

相位噪声这一术语,常用来描述信号短期的随机频率抖动。频率稳定度用于衡量振荡器在指定时间内维持输出频率恒定的能力,其指标有多种表述方式,本文介绍三种常用定义。

理想正弦振荡器的输出表达式为:

V(t)=V0sin(2πft)

式中,V0为信号标称幅值,f为振荡标称频率。

实际振荡器的瞬时输出可表示为:

V(t)=V0[1+A(t)]sin[2πft+φ(t)]

其中A(t)、φ(t)分别代表信号的幅度波动与相位波动。相位波动分为随机分量和离散分量,均可在频谱仪上观测到。

如图1所示,相位波动主要分为两类:第一类是杂散信号,属于离散信号,在频谱密度图中表现为独立的尖峰分量;第二类为随机相位波动,也就是我们常说的相位噪声。

图1:频谱仪观测到的相位噪声波形

振荡器的相位噪声主要来源于热噪声与闪烁噪声(1/f噪声)。绝大多数振荡器工作在饱和区,其调幅噪声分量通常比相位噪声分量低20dB。下文分析中,均默认幅度波动A(t)<<1。

表征振荡器相位噪声的方法有很多,本质都是在频域或时域测量被测信号的频率偏移与相位偏移。由于频率和相位相互关联,各类参数也存在对应关系。单边带相位波动谱密度是描述相位噪声最基础、最常用的指标。谱密度表征能量的连续分布特性,单位为单位带宽内的能量。

相位噪声最适合在频域分析,通过测量载波两侧的噪声边带得到对应谱密度。工程上常用偏离载波特定频偏处的单边带相位噪声,单位为dBc/Hz。

相位、频率的频域信息,分别由相位功率谱密度SDq(f)和频率功率谱密度SDf(f)体现。式中f代表由相位波动φ(t)产生的调制频率,也就是频偏。

峰值相位偏移Δφ与峰值频率偏移Δf的关系如下:

换算为有效值,关系式如下:

每Hz带宽内,相位波动的单边谱密度记为SDq(f):

式中,BW为相位有效值Dqrms的测量带宽。SDq(f)的单位为rad²/Hz,也可表示为相对于1rad²/Hz的dB值。

S(f)即常说的谱密度,以连续函数形式表征能量分布,单位为每Hz带宽的能量,特性如图2所示。

图2:信号相位噪声谱密度的单边分布曲线

同理,每Hz带宽内频率波动的单边谱密度为SDf(f),计算公式:

SDf=(Dfrms)2/BW

式中BW为频率有效值Dfrms的测量带宽。SDf(f)单为(rad/s)²/Hz。

工程中也常用边带功率与载波功率的比值来表征信号噪声性能,该指标记作Sc:

Sc(f)=(信号总功率偏离载波频偏f处,每Hz单边带功率密度)/信号总功率

当相位波动较小时,可推导得出:

式中b为调制指数,该定义借鉴了调制理论中的相关概念。

Sc(f)=1/2(SDq(f))

Sc(f)通常以偏离载波的dBc/Hz为单位,它和频谱仪上观测到的功率谱直接对应。

单边带相位噪声的定义为:在偏离载波fHz的位置上,每Hz带宽内单个调相边带的功率,与信号总功率的比值。其中f为相对载波的频偏。

式中Ps为载波功率,Pssb是偏离中心频率f处、每Hz带宽内的单边带功率,相关示意如图3所示。

图3:单边带相位噪声与载波功率比值

单边带相位噪声通常采用对数形式表示,计算公式为:

Sc(f) in dB = 10 x log[Sc(f)]

图4为频域下调相边带的谱密度曲线,该指标单位为dBc/Hz,即相对于载波的dB/Hz带宽。

图4:单边带相位噪声特性曲线

压控振荡器(VCO)的相位噪声主要由以下因素决定:

1. 谐振器的品质因数Q。

2. 变容二极管的Q值。

3. 振荡晶体管等有源器件。

4. 电源噪声。

5. 外部调谐电压源噪声。

合理选型供电电路,可有效抑制第4、5项带来的噪声影响。因此,VCO相位噪声主要取决于电路整体Q值。而高Q电路对应的调谐带宽较窄,低相位噪声的VCO,调谐范围通常也更小。

二、降噪措施

1、电源(VCC)与调谐电压(Vtune)的回流端需接入PCB地层;VCO地层需与主板地层共地,所有接地引脚直接焊接至PCB地层。

2、保证射频接地良好,在电源端与地之间布设多颗片式去耦电容。

3、选用低噪声稳压电源;供电电压与调谐电压优先采用直流电池供电,可获得最佳性能。

4、输出端匹配标准负载阻抗;建议在VCO与外接负载之间增设电阻衰减器。

5、调谐端口走线尽量缩短,做好屏蔽与去耦,避免外界噪声对振荡器产生调制;调谐电压必须使用低噪声电源供电。

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