报告丨《第三代半导体碳化硅行业前瞻》

点击【免费获取】《半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻》

前往【技术文档】专区，获取更多 相关资料

碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。

当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件，随着下游需求爆发，2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元，复合增长率为20%，对应的SIC衬底市场规模讲从7亿美元增长到17亿美元，复合增长率为25%。

我们把SiC器件发展分为三个发展阶段：2019-2021年为初期，2022-2023年为拐点期，2024-2026年为爆发期。

SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开，需求迎来爆发增长，其中，能源汽车是SIC器件应用增长最快的市场，预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元，复合增长率为30%。

碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。

目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供应商，CR3市场占有率达到80%以上，国内厂商为代表的衬底厂商的产品良率、品质和生产效率还有一定差距，短期看中高功率器件产业链的上游主要还受衬底CR3控制，另外随着CR3逐步提高材料自用比例提升，产能的提升的同时市场供给有限，整体供给偏紧状态。

根据WolfSpeed数据显示，预计2022年和2024年的产能分别达到167K平方英尺到242平方英尺，折算6寸对应的85万片和123万片，通过测算预计全球2022年和2024年市场销量折合6英寸分别约为170万片至250万片。

以下是《第三代半导体碳化硅行业前瞻》部分内容：

部分内容来源于：

中信建投证券半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻