芯耀
与非AI
DC-DC升压同步转换器Vo=800V Io=20A: BSM120D12P2C005
- Input : Vin=250V
- Output : Vo=800V
Io=20A
- GateDrive : Vd=18V
R source=2Ω
R sink=1Ω - Q1,Q2 : BSM120D12P2C005
SiC Power Module (1200V 120A)
- L1 : 100uH
- C1 : 20uF
- Tj : 100°C
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DC-DC升压同步转换器Vo=800V Io=20A: BSM120D12P2C005
Io=20A
R source=2Ω
R sink=1Ω
SiC Power Module (1200V 120A)
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFXTAL058124REEL | 1 | IQD Frequency Products | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 24MHz Nom |
|
|
暂无数据 | 查看 | |
| EE2-5NU-L | 1 | EM Devices Corporation | Power/Signal Relay, DPDT, Momentary, 0.028A (Coil), 5VDC (Coil), 140mW (Coil), 2A (Contact), 220VDC (Contact), DC Input, AC/DC Output, Surface Mount-Straight, ROHS COMPLIANT |
|
|
$4.36 | 查看 | |
| MA4AGSW1 | 1 | MACOM | SPST, 50MHz Min, 70000MHz Max, 0.6dB Insertion Loss-Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
|
|
$24.36 | 查看 |
人工客服
ROHM公司总部在日本京都，是著名电子元件制造商。公司1958年成立，开始制造电阻器件，公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块，核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
ROHM公司总部在日本京都，是著名电子元件制造商。公司1958年成立，开始制造电阻器件，公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块，核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
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