• 资料介绍
  • 推荐器件
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

PFC边界电流模式Vin=200V Iin=2.5A: SCT2450KE, SCS302AHG

2023/04/25
169
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

PFC边界电流模式Vin=200V Iin=2.5A: SCT2450KE, SCS302AHG

PFC边界电流模式Vin=200V Iin=2.5A: SCT2450KE, SCS302AHG

  • Input : Vin=200Vac

    Iin=2.5Aac
    fps=50Hz

  • Output : Vo=500Vdc
  • GateDrive : Vd=18V

    R source=5Ω
    R sink=2Ω

  • Q1 : SCT2450KE

    SiC MOSFET (1200V 10A)

  • D1 : SCS302AHG

    SiC SBD (650V 2A)

  • L1 : 150uH, L2 : 100uH
  • Tj : 100°C

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
BLM18HG102SN1D 1 Murata Manufacturing Co Ltd Ferrite Chip, 1 Function(s), 0.1A, EIA STD PACKAGE SIZE 0603, 2 PIN

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.05 查看
S25FL256SAGNFI001 1 Cypress Semiconductor Flash, 64MX4, PDSO8, WSON-8

ECAD模型

下载ECAD模型
$17.53 查看
MCP4261-103E/ML 1 Microchip Technology Inc 10K DIGITAL POTENTIOMETER, INCREMENT/DECREMENT CONTROL INTERFACE, 257 POSITIONS, PQCC16, 4 X 4 MM, 0.90 MM HEIGHT, PLASTIC, QFN-16
$1.45 查看
罗姆

罗姆

ROHM公司总部在日本京都,是著名电子元件制造商。公司1958年成立,开始制造电阻器件,公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块,核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。

ROHM公司总部在日本京都,是著名电子元件制造商。公司1958年成立,开始制造电阻器件,公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块,核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起

查看更多

相关推荐