MMA20312BT1 1800-2200 MHz, 27.2 dB, 30.5 dBm InGaP HBT Linear Amplifier - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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MMA20312BT1 1800-2200 MHz, 27.2 dB, 30.5 dBm InGaP HBT Linear Amplifier - Data Sheet

The MMA20312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femto cell

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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