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有效的电力电子设计取决于准确和预测的SPICE模型的可用性。本文提出了一种新的物理和可扩展的SPICE模型，用于包括宽带隙器件在内的电力电子半导体。这些模型基于工艺和布局参数，通过SPICE、物理设计和工艺技术之间的直接联系实现设计优化。这些模型在技术开发和新产品的扩散过程中被用作关键的设计组件。
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有效的电力电子设计取决于准确和预测的SPICE模型的可用性。本文提出了一种新的物理和可扩展的SPICE模型，用于包括宽带隙器件在内的电力电子半导体。这些模型基于工艺和布局参数，通过SPICE、物理设计和工艺技术之间的直接联系实现设计优化。这些模型在技术开发和新产品的扩散过程中被用作关键的设计组件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| USB3803CI-1-GL-TR | 1 | Microchip Technology Inc | SPECIALTY CONSUMER CIRCUIT |
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$3.72 | 查看 | |
| AFBR-1528CZ | 1 | Broadcom Limited | Transmitter, |
|
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$16.16 | 查看 | |
| IPP65R190CFDAAKSA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
|
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$5.46 | 查看 |
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