安森德半导体ASDsemi

• 破局AI服务器电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择

  过去两年，AI算力需求以每年数倍的速度增长。单机架功率从早期的几十千瓦，正在向数百千瓦乃至更高迈进。英伟达最新的GB200 NVL72系统，单机架功率已达到120kW级别。而下一代Rubin Ultra平台的设计目标已经指向600kW以上，甚至兆瓦级机架。

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  09/24 08:33

  SiC GaN
• 小家电电机控制MOS怎么选？这份选型指南直接抄作业

  本文介绍了三种常见小家电（无绳吸尘器、电风扇、料理机）的MOSFET选型方案，强调了电机控制场景下五个关键参数的重要性，并提供了详细的选型要点和注意事项。通过对比不同场景下的参数要求，帮助工程师做出合理的选型决策，确保产品性能稳定并降低成本。

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  08/18 09:59

  电机控制 MOS
• 揭秘MOS可靠性： 为什么大厂工程师选型必看SOA曲线？

  SOA曲线是评估MOS管性能的重要工具，它展示了MOS管在不同电压和电流下的安全工作区域。理解SOA曲线可以帮助工程师避免因参数超出安全范围而导致的器件损坏。文章详细介绍了SOA曲线的五个关键区段及其含义，并提供了实用的设计建议，强调了选择合适MOS管的重要性，特别是在高电流、高电压和瞬态条件下的应用。掌握SOA曲线不仅能减少设计失误，还能提高产品的可靠性和降低开发成本。

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  08/18 08:57

  MOS 可靠性测试
• 拆了诗恩吹风机，发现一颗通吃三场景的40V MOS

  安森德半导体的ASDM40N60KQ是一款适用于多种应用场景的40V中压MOS管，尤其适合小家电、锂电充和电动工具等领域。该芯片具有低RDS(on)、高耐压和强大抗浪涌能力的特点，在25.2V/3.5A的应用中，其稳态导通损耗仅为0.1W左右，能够在无需额外散热的情况下正常工作。ASDM40N60KQ不仅提升了产品的灵活性和可靠性，还能有效降低备货风险和供应链弹性。

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  08/18 07:57

  MOS管
• 从Datasheet到实板：一颗MOS的真实功耗拆解

  本文介绍了如何准确计算DCDC MOSFET的总损耗，通过具体实例展示了如何从Datasheet中提取高温参数，并详细计算了导通损耗、开关损耗、驱动损耗、输出电容损耗和反向恢复损耗。最终得出总损耗约为1.082W，强调了合理PCB铜皮和散热设计的重要性。对于功率大于50W或频率高于100kHz的应用，建议全面计算五项损耗，以确保可靠性设计并提高系统效率。

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  08/17 09:42

  MOSFET DCDC

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