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与非网 10 月 8 日讯，据媒体报道，中国目前使用的半导体仅 16%在中国生产，当中只有一半由中国企业制造，比例相当低。按政府计划，中国希望 2020 年生产 40%自用半导体，2025 年提高至 70%，务求尽快摆脱美国制肘。
大部份中国芯片股自贸易战开打以来，虽录不同程度跌幅，但从上述角度考虑，行业长远受惠国策支持。其中，有约两成收入来自华为的中芯国际，自中美爆贸战以来一度下跌 37%，但今年首九个月累升 43%，已收复大部份贸易战后导至的失地。
技术突破，几乎成了近年来经济发展的主旋律。无论是 5G 技术、量子技术、半导体技术，还是 IoT 物联网、金融科技创新……一大批尖端技术的突破，既为经济发展注入新的活力，也成为刺激资本市场上科技板块股票上涨的重要因素。
恰如近段时间以来，由于“在先进制程的研发快于预期构成利好”，中芯国际（00981-HK）未来预期收入有望实现快速增长。而受此影响，中芯国际股价同样呈现出持续上涨的态势，并创下自 2018 年 6 月份以来的新高。
不仅如此，随着未来的 5G、智能手机、物联网终端技术等领域的快速发展，相关行业对于高端芯片的需求量将会持续增加。提升国产芯片的自给率，其意义不言而喻。
事实上，在 14nm 逐渐步入量产，并着手推进扩大产能的同时，2019 年二季度的企业财报中同时透露：第一代 FinFET 技术进入风险量产，第二代 FinFET N+1 技术平台也已经开始进入客户导入，中芯国际将与客户保持长远稳健的合作关系。
持续引进人才，技术创新，国产 7nm 芯片或为期不远
而在此前，在中芯国际 2019 年一季度财报信息披露中，梁孟松博士就曾经披露 12nm 已经进入客户导入阶段，并表示更新一代 FinFET 工艺研发进度喜人，相关研发进程非常顺利。
在 12nm 制程工艺后的新一代 FinFET 工艺研发？究竟是 10nm，还是更高级别，当下国际顶尖的 7nm 芯片先进制程工艺？从研发进度来看，中芯国际越过 20nm 等级，直接由 28nm 过渡到 14nm，也不能排除从 12nm 直接跃进到 7nm 的可能。
而另一件事情似乎可以佐证这种由 12nm 直接跃进到 7nm 的猜想。根据中国产业经济信息网披露，2018 年年中，中芯国际耗资 1.2 亿美元，向荷兰 ASML 公司订购了亿台 EUV 极紫外光刻机，而这种设备通常用来 7nm 级别先进制程工艺的研发使用。
其实，无论新一代 FinFET 工艺研发级别是 10nm，还是 7nm，都是国内芯片代工生产技术的突破，而翘首期盼的国产 7nm 越来越近，或已是为期不远。
自 2000 年中芯国际成立，到现如今 14nm 制程工艺的量产化，12nm 制程工艺进入到客户导入阶段，不到 20 年的时间，中芯国际从 0 到 1，又不断提升技术水平，可谓成绩斐然。
值得注意的是，中芯国际 14nm 工艺的研发成功与企业近年来持续引进人才密切相关。
2017 年，有着丰富芯片制程工艺研发经验的梁孟松加入中芯国际；2018 年 8 月 9 日，梁孟松研发团队宣布 14nm 工艺取得重大突破。这距离梁孟松加入中心国际也不过是 298 天，换言之，不到 300 天的时间，中芯国际技术工艺完成了代差性的跨越。
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