功率半导体器件_功率半导体器件是什么意思

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01/12 20:54

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英飞凌 ICE3PCS01G 搭配 IGBT 高效率 2.5KW 空调电源方案

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2025/06/04

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2024/01/04
Littelfuse 功率半导体器件

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纳米烧结银八大缺陷根源分析到方案优化详解
纳米烧结银八大缺陷根源分析到方案优化详解一、孔隙率过高，致密性不足缺陷表现：烧结层内部存在大量微米或者亚微米级空洞，孔隙率可达10%-30%，导致导热系数从240 W/m·K降至150 W/m·K、导电性能下降，剪切强度降低等。根源分析： 1、溶剂挥发不畅：银膏中的有机溶剂在烧结初期挥发过快，若升温速率超过5℃/min，溶剂汽化会形成囚笼效应，将孔隙锁在内部。 2、颗粒团聚：纳米银颗粒表面

eefocus_3788091

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03/04 11:39

低空经济航空航天
从封测到全产业链，华天科技收购华羿微电
Note: The English version is provided below. 摘要 9 月 24 日，华天科技发布公告称，正在筹划发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易事项，标的公司为华羿微电子股份有限公司。华天科技主营集成电路封测，处于半导体中游，而华羿微电聚焦半导体功率器件的研发、生产，属于上游设计+制造环节。华羿微电是国内知名的以高性能功率器件研发、设计、封装测试、

王兵

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2025/09/26

功率半导体器件
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解
MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。图1. 功率MOSFET的组件级电容三端功率半导体器件的电容可以在两种不同的量级上看待：组件和电路。在组件上查看电容涉及到表征每个设备终

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2024/06/06

MOSFET 功率半导体器件
英飞凌携手盛弘电气拓展储能市场，共同推进绿色能源发展
近日，英飞凌宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司达成合作。英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，从而进一步提升储能变流器的效率。在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，近年来，国内储能市场保持持续快速发展。据工信部统计，2023年上半年，新型储能

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2024/01/26

SiC 英飞凌
Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑
新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮化镓器件能够满足伺服电机、工业电机和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的坚固型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类应用领域未来五年的潜在市场规模(TAM)超过 30 亿美元。

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960

2023/08/24

GaN 氮化镓

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