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先进半导体工艺中衬底晶向从<100>转向<110>的技术逻辑
在半导体工艺从微米级迈向纳米级,尤其是进入 28nm 及以下先进节点的过程中,衬底晶向的选择从传统的100转向110,并非偶然的技术调整,而是围绕器件性能突破、工艺兼容性优化展开的关键决策。这一转变的核心驱动力,源于 CMOS 电路中 PMOS 器件的性能瓶颈,以及先进制程对 “全器件性能均衡提升” 的迫切需求。
国芯制造
2909
10/08 09:55
半导体工艺
衬底
半导体对聚氨酯提出了哪些苛刻要求?
说到半导体,大家脑海里蹦出来的词往往是“高精尖”“光刻机”“纳米工艺”。而提到聚氨酯,多数人想到的可能是沙发海绵、运动鞋底、甚至冰箱里的保温层。看似风马牛不相及的两大领域,实际上却有着越来越紧密的联系。尤其是在半导体产业不断追求极限工艺的今天,聚氨酯这位老材料也迎来了新的考验——半导体对它的要求,可以用一个词来概括:苛刻。 那问题来了:半导体到底看上了聚氨酯哪一点?又对它提了哪些刁钻的要求呢? 一
芯火相承
579
09/08 14:35
半导体工艺
在半导体工艺中,什么是Monitor wafer?有什么作用?
在半导体制造中,Monitor Wafer(监控片/控片) 是一种专门用于工艺监控、设备性能验证和测试的特殊硅片。它的核心目的不是生产最终可销售的芯片,而是确保生产设备、工艺条件和环境处于最佳且稳定的状态。 以下是与产品晶圆(Product Wafer,用于制造实际芯片)的主要区别和Monitor Wafer的关键特点: 核心功能:监控与测试 薄膜沉积:厚度、均匀性、折射率、应力、成分。 刻蚀:刻
国芯制造
2865
08/18 12:40
半导体工艺
Deep N-Well工艺在芯片功能中有什么作用?
在半导体工艺中,DNW(Deep N-Well,深 N 阱)离子注入是一项关键技术,主要用于在 P 型衬底中创建深 N 型阱区。这项技术在 CMOS 集成电路、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺和高压器件制造中尤为重要。以下是 DNW 离子注入的核心作用及其技术细节:
国芯制造
1万
08/11 10:45
半导体工艺
离子注入
半导体工艺:Ashing
Ashing是一种在半导体制造过程中常见的清洗工艺,它的核心目的是去除晶圆表面上残留的光刻胶。这个过程依赖于等离子体的反应活性,通常使用氧气等离子体将光刻胶这种有机材料“燃烧”成气态的CO和CO₂,从而彻底清除干净。这种方式被称作“干法清洗”,区别于湿法清洗中液体溶剂的溶解过程。
韭菜笔记1907
1295
08/11 10:44
半导体制造
半导体工艺
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