随着 SiC MOSFET 器件快速开关特性的发展,其在需要高速、灵活高压脉冲输出的电路系统中得到广泛应用。研究表明,SiC MOSFET 的导通时间主要受栅极驱动技术及其实现方式的影响,因此相关研究多聚焦于其栅极驱动方法优化。该研究通过对 SiC MOSFET 栅极驱动回路进行参数测试与优化设计,并将其应用于超快导通型 SiC MOSFET 器 件,以实现导通时间的显著缩减。为验证优化效果,研究
为了满足脉冲电场消融的应用需求,解决单极性脉冲电场分布不均匀的问题,研制了一台基于半桥结构的主电路、具有纳秒级前沿的高重复频率双极性亚微秒高压脉冲电源。该脉冲电源由 FPGA 提供控制信号,经过驱动芯片放大控制信号后,利用光耦隔离驱动多个 SiC MOSFET。驱动电路所需元器件较少,信号控制时序简单,可提供负压偏置,使开关管可靠关断,提高了电路的抗电磁干扰能力,使电源能稳定运行。通过电阻负载实验