IGBT器件

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  • 从不同类型IGBT封装对焊料的要求差异看结构与场景看适配逻辑
    IGBT 封装的核心差异体现在功率等级、应用环境、结构复杂度三个维度 —— 从分立的TO封装到集成化的汽车主驱模块,从硅基IGBT到SiC模块,封装形式的变化直接决定了焊料的“性能优先级”:有的需平衡成本与基础可靠性,有的需极致散热与抗振动,有的需适配高温与小型化。以下按主流封装类型拆解焊料要求差异,结合结构特点与应用场景说明底层逻辑。 一、传统分立封装(TO-247、TO-220):中低功率场景
  • 功率半导体器件功率循环测试与控制策略
    功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法,被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试标准内的必测项目。与温度循环测试相比,功率循环是通过器件内部工作的芯片产生热量,使得器件达到既定的温度;而温度循环则是通过外部环境强制被测试器件达到测试温度。
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  • 报告丨《2022年 光伏IGBT功率半导体研究框架》
    近年来各国政府大力支持光伏行业的发展,光伏装机容量的迅速提升驱动逆变器行业成长,2020年全球光伏逆变器出货量迅速增长至185GW,为IGBT市场空间的拓展提供动力。
  • IGBT晶体管
    绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种功率半导体器件,结合了场效应晶体管(FET)和双极型晶体管(BJT)的优点。IGBT晶体管具有高电压、高电流、高频率等特点,被广泛应用于电力电子、工业控制、交通运输、再生能源等领域。本文将介绍IGBT晶体管的定义、结构原理、工作特性、应用领域以及对现代科技产业的影响。