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Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET,该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装,具有市场领先的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。
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2022/07/27
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UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。
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2022/05/17
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