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Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。 Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“
与非网编辑
1537
02/29 16:22
Qorvo
SiC FET
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 转换器和正温度
与非网编辑
2052
01/30 11:06
电动汽车
Qorvo
5款SiC新品亮相,真的有点猛!
在过去一年里,SiC产品迎来大爆发;2024开年以来,包括Qorvo、三菱电机、至信微等企业也纷纷推出碳化硅新品,积极打进汽车和飞机供应链,牵头再谱新年新篇章。
行家说三代半
2297
01/26 08:37
SiC
SiC-MOSFET
如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高 SiC 牵引逆变器的效率
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此,为了构建下一代牵引逆变器系统,业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。 图 1 所示的隔离式栅极驱动器集成电路 (IC) 提供从低电压到高电压(输入到输出)的电隔离,驱动逆变器每相的高边
与非网编辑
3297
2023/05/23
电动汽车
逆变器
贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。
与非网编辑
493
2022/09/23
贸泽电子
MOSFET
与非星榜
ZLG致远电子
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