ROHM

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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,资本金为86,969百万日元(2014年3月31日现在),总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的罗姆,于1967年和1969年逐步进入了晶体管、二极管领域和IC等半导体领域。2年后的1971年,罗姆作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心。以当时的企业规模,凭借被称为"超常思维"的创新理念,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,罗姆迅速发展。今天作为业内惯例被其它公司所接受。

罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,资本金为86,969百万日元(2014年3月31日现在),总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的罗姆,于1967年和1969年逐步进入了晶体管、二极管领域和IC等半导体领域。2年后的1971年,罗姆作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心。以当时的企业规模,凭借被称为"超常思维"的创新理念,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,罗姆迅速发展。今天作为业内惯例被其它公司所接受。收起

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  • AMEYA360代理 | ROHM推出广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC!
    2025年11月13日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出可广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器 IC“BD60210FV” ( 20V 耐压,2 通道) 和 “BD64950EFJ”(40V耐压,1通道),新产品适用于包括冰箱、空调等白色家电在内的消费电子以及工业设备领域。 近年来,从白色家电等消费电子到工业设备领域,控制机构的电动化进程加速,对更加节能的直流有刷
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  • ROHM推出广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC!
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出可广泛适用于直流有刷电机的通用电机驱动器IC“BD60210FV”(20V耐压,2通道)和“BD64950EFJ”(40V耐压,1通道),新产品适用于包括冰箱、空调等白色家电在内的消费电子以及工业设备领域。 近年来,从白色家电等消费电子到工业设备领域,控制机构的电动化进程加速,对更加节能的直流有刷电机的需求日益增长。另一方面,要求电机
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    11/14 07:14
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  • ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2,以及需要电池保护的工业设备电源等应用。 RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装,与ROHM在2025年5月发售的DFN80
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  • ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出一款可检测高速移动物体的小型高精度接近传感器“RPR-0730”,该产品广泛适用于包括标签打印机和输送装置在内的消费电子及工业设备应用。 随着工业设备和办公设备向更高性能、更多功能及更智能化方向发展,对感测技术的精度提升提出了更高要求,特别是标签打印机、样本传送装置和复印机等应用,除了通过优化生产工艺等提升速度外,还需要具备能够更精准识
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  • ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出适用于中等耐压系统(12V~48V系统)的采用“TriC3™”技术的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑,该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性,而这两项之间存在此消彼长的关系,通常很难同时兼顾。 电机的耗电量约占全球耗电量的60%,从能源效率的角度来看,
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    10/23 14:55
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  • 体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。 与以往封装产品相比
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    体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
  • 实现业界超高额定功率!ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ~100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。 在电流检测领域,无论是车载市场还是工业设备市场,都要求分流电阻器能够应对更大功率。另外,车载市场对高接合可靠性的需求、工业设备市场对更高精度的需求也逐年高涨。ROHM为满足这些多样化的需求,一直在大力开发适配度高的分流电阻器,为客户
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  • ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”,该产品在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。 近年来,随着ADAS摄像头等应用的精度提升,其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电
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  • 从 1700V 高耐压到高集成模块,罗姆构建 SiC 功率器件 “全能” 生态
    SiC功率器件因能效要求提升而市场需求旺盛,预计到2030年市场规模将达到164亿美元,CAGR约为30%。罗姆展示了其第4代SiC MOSFET技术和多种封装形式,包括TRCDRIVE pack™模块、DOT-247-7L模块和HSDIP20模块,这些产品在逆变器、充电器和其他应用中表现出色,提高了系统的功率密度和效率。
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    09/30 21:01
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  • ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”,可实现更高的设计灵活性和功率密度
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”,该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性,同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。 目前,光伏逆变器虽以两电平逆变器为主流产品,但为了满足更高电压需求,对三电平NPC、三电平T-NPC以及五电平ANPC等多电平电
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    09/23 07:10
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  • AMEYA360 | ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关
    中国上海,2025年8月5日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*1的车身相关应用,推出6款不同导通电阻值的高边IPD*2(智能高边开关)“BV1HBxxx系列”,非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准,满足对车载产品严苛的可靠性要求。 随着自动驾驶和电动汽车
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    08/05 15:34
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    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*1的车身相关应用,推出6款不同导通电阻值的高边IPD*2(智能高边开关)“BV1HBxxx系列”,非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准,满足对车载产品严苛的可靠性要求。 随着自动驾驶和电动汽车(EV)的不断发展,汽车的电子控
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  • AMEYA360 ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴设备和室内探测器等小型应用中的测量放大器。 近年来,随着便携式测量仪和可穿戴设备等由电池驱动的应用对控制精度要求的不断提高,用于 量化温度、湿度、振动、压力、流量等参数的传感器以及用来放大传
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    07/29 14:05
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  • ROHM推出“PFC+反激控制参考设计”,助力实现更小巧的电源设计!
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出新的参考设计“REF67004”,该设计可通过单个微控制器控制被广泛应用于消费电子电源和工业设备电源中的两种转换器——电流临界模式PFC(Power Factor Correction)*1和准谐振反激式*2转换器。通过将ROHM的优势——由Si MOSFET等功率器件和栅极驱动器IC组成的模拟控制Power Stage电路,与以低功耗L
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  • ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。 功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响,因此在设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。然而另一方面,该模
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  • ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET,预计该尺寸产品未来需求将不断增长,可以轻松替代现有产品。另外,新产品同时实现了更宽SOA范围*3(条件:VDS=48V、Pw=1ms/10ms
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    06/03 14:18
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  • ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作
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    05/27 09:47
    ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
  • ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”,其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.),达到业界先进水平。 新产品采用ROHM自有结构,不仅提高器件集成度,还降低单位芯片面积的导通电阻。另外,通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计,仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保
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    05/15 16:22
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  • ROHM推出高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化!
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐压的7款机型(BSTxxx2P4K01)。通过将各种大功率应用的电路中所需的
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    04/24 13:59
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