ROHM

• 顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。 新产品通过采

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  07/09 14:03

  ROHM SiC MOSFET

  
• ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。 该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同

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  06/25 15:33

  汽车电子 ROHM

  
• ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。 近年来，可穿戴设备、移动设备、IoT设备等电池供电的电子设备已在各种场景中得到广泛应用。为提高设计灵活性并增加新功能，这些设备中所搭载的元器件不仅要实现小型化，还需满足低功耗要求以延长电池续航时间。

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  06/24 07:03

  ROHM 电子设备

  
• ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 × 2.3mm）两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散

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  06/16 14:56

  MOSFET 封装

  
• ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1，D

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  05/29 07:04

  MOSFET ROHM

  
• ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、DMS（驾驶员监控系统）和感测摄像头等车载应用的SoC*3。 该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrM

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  05/20 07:22

  SoC ADAS

  
• ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS®*开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。 “ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数

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  04/23 14:41

  SiC ROHM

  
• ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（T

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  04/21 15:17

  电动汽车 ROHM

  
• AMEYA360丨ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

  2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。 近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另

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  04/03 10:45

  ROHM ESD保护二极管
• ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。 近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化

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  04/02 14:12

  服务器 ROHM

  
• ROHM推出超小型无线供电芯片组

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术（NFC，近距离非接触式无线通信技术）的无线供电IC芯片组“ML7670（接收端）”和“ML7671（发射端）”。 近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电；而且常用的Qi标准*

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  03/17 14:48

  NFC ROHM

  
• ROHM一举推出17款高性能运算放大器，提升设计灵活性

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域的CMOS运算放大器“TLRx728系列”和“BD728x系列”产品。作为高性能运算放大器，新产品出色地兼顾了低输入失调电压*1、低噪声及高压摆率*2，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，新产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。 近年来，

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  03/10 14:25

  运算放大器 ROHM

  
• ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计！

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。 在以大功率工作的功

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  03/06 07:19

  碳化硅 ROHM

  
• ROHM携手台积电：强攻AI与EV用GaN，2026-2027年大动作全解析

  ROHM与台积电合作，整合GaN制程技术，构建从设计到量产的完整体系，以应对AI服务器和电动汽车市场的快速增长需求。ROHM计划于2027年完成生产线建设，加强在宽禁带半导体领域的垂直整合能力。同时，台积电继续扩大先进制程产能，推动AI时代的发展。

  DT半导体

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  03/02 16:02

  GaN ROHM

  
• ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。 这些产品通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。详见罗姆官方网站。 ＜产品型号＞ 除上述型号外，其他型号的产品

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  02/26 14:18

  元器件 ROHM

  
• AMEYA360 | ROHM推出输出电流500mA的LDO稳压器，提升大电流应用的设计灵活性

  ~极小电容亦可稳定运行~ 2026年1月27日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，面向车载设备、工业设备、通信基础设施等所用的12V/24V系统一级*¹电源，开发出搭载ROHM自有超稳定控制技术“Nano Cap™”、输出电流500mA的LDO稳压器*² IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)。 近年来，电子设备正朝着小型化、高密度化方向发展。为了进一步节省空间并提高设计

  AMEYA360

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  01/30 10:00

  稳压器 ROHM
• ROHM推出输出电流500mA的LDO稳压器，提升大电流应用的设计灵活性

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载设备、工业设备、通信基础设施等所用的12V/24V系统一级*1电源，开发出搭载ROHM自有超稳定控制技术“Nano Cap™”、输出电流500mA的LDO稳压器*2 IC“BD9xxN5系列”（共18款产品）。 近年来，电子设备正朝着小型化、高密度化方向发展。为了进一步节省空间并提高设计灵活性，电源电路亟需一种即使采用小容量电容器

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  01/27 13:32

  电源设计 ROHM

  
• ROHM课堂 | 什么是网孔分析法

  网孔分析法(网孔电流法、回路电流法)是一种电路分析的基本方法，该方法将导线互不交叉的平面电路中的每个网孔电流设为未知量，并根据基尔霍夫电压定律(KVL)建立联立方程组，从而求解电压和电流。它是与节点分析法并列的代表性电路分析方法，尤其能够高效地求解具有多个电压源的电路。若能灵活运用这两种方法，就可以应对更广泛的电气网络。接下来我们将详细介绍网孔分析法的原理、基本步骤以及如何将其拓展应用于包含多个电

  AMEYA360

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  01/19 08:49

  ROHM
• ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。 新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，

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  2025/12/18

  led 封装

  
• AMEYA360代理：ROHM分享诺顿定理-等效电路分析

  诺顿定理：等效电路分析 诺顿定理是一种通过将复杂二端网络等效替换为电流源与并联电阻的组合来简化电路分析的方法。借助这种方法，即便在电路中包含电压源或受控电源的情况下，也能准确计算负载上的电流与电压，进而减少复杂电路设计的工作量。例如，诺顿定理的特点在于：在电路设计与学习场景中，不仅常用于对放大器输出特性的评估，还易于应用于滤波器及放大电路的优化工作。 本文将从诺顿定理的基本原理、具体求解方法，到与

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  2025/12/10

  ROHM 负载

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