SiC功率器件

• TrendForce集邦咨询分析师亮相APCSCRM 2025，深度解析SiC功率半导体市场趋势

  第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）在郑州成功举办，主题为“芯联新世界，智启源未来”。会议汇聚全球800多位专家学者，探讨宽禁带半导体技术发展。TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄发表主题演讲，分析SiC功率半导体市场现状与未来趋势，强调其在电动汽车、数据中心等领域的应用前景。会上展示超过110家企业的产品与解决方案，促进产学研深度融合，推动宽禁带半导体技术的创新发展。

  化合物半导体市场

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  12/03 13:06

  碳化硅 SiC功率器件

  
• SiC MOS + 800V HVDC为新一代AI数据中心带来变革

  800V HVDC是新一代AI数据中心高压直流供电技术，通过提升电压等级实现能效跃升，已成为英伟达等科技巨头推动的行业标准方案。 为什么是800V HVDC、为什么是碳化硅MOSFET，以及两者结合为AI数据中心带来的核心优势三个方面进行详细分析。 一、 背景：AI数据中心面临的挑战与800V HVDC的必然性 传统的AI数据中心普遍采用480V交流或48V直流配电。但随着AI算力（特别是GPU集

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  11/25 08:21

  第三代半导体 SiC功率器件
• MOSFET焊料选型避坑指南：焊材厂家研发工程师带你看透匹配的核心逻辑

  作为半导体封装焊料厂家的研发工程师，日常工作中经常被问到的问题就是：“我们的MOSFET该选哪种焊料？” 其实MOSFET作为高频高效的功率器件，从消费电子电源到新能源汽车主驱，应用场景跨度极大，但焊料选型的核心逻辑从未变过 ——一切围绕MOSFET的性能特性、封装形式和工作环境来匹配。今天就从研发和实际应用角度，把MOSFET焊料选型的门道讲透，帮大家避开那些容易踩的坑。 一、先抓核心：MOSF

  傲牛科技

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  11/12 10:01

  新能源汽车 汽车电子
• 从不同类型IGBT封装对焊料的要求差异看结构与场景看适配逻辑

  IGBT 封装的核心差异体现在功率等级、应用环境、结构复杂度三个维度 —— 从分立的TO封装到集成化的汽车主驱模块，从硅基IGBT到SiC模块，封装形式的变化直接决定了焊料的“性能优先级”：有的需平衡成本与基础可靠性，有的需极致散热与抗振动，有的需适配高温与小型化。以下按主流封装类型拆解焊料要求差异，结合结构特点与应用场景说明底层逻辑。 一、传统分立封装（TO-247、TO-220）：中低功率场景

  傲牛科技

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  11/05 09:38

  锡膏 SiC功率器件
• 具有快前沿的10kV纳秒级脉冲电源研制

  随着 SiC MOSFET 器件快速开关特性的发展，其在需要高速、灵活高压脉冲输出的电路系统中得到广泛应用。研究表明，SiC MOSFET 的导通时间主要受栅极驱动技术及其实现方式的影响，因此相关研究多聚焦于其栅极驱动方法优化。该研究通过对 SiC MOSFET 栅极驱动回路进行参数测试与优化设计，并将其应用于超快导通型 SiC MOSFET 器 件，以实现导通时间的显著缩减。为验证优化效果，研究

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  10/24 09:40

  SiC功率器件 碳化硅MOSFET
• 主驱将用三电平SiC模块？吉利/长安/联电/赛米控等已发布

  三电平主驱SiC功率模块受到广泛关注，多家企业和研究机构推出相关产品并计划于2026年量产。三电平方案有助于提高800V以上车型的电驱效率，减少开关损耗和电磁干扰，降低电机损耗和铁损，同时能节省电池容量。然而，三电平拓扑较为复杂，面临成本和技术上的挑战。

  行家说三代半

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  10/23 15:28

  SiC功率模块 SiC功率器件

  
• 从适配到突破：烧结铜工艺如何解决企业“改造成本焦虑”？

  烧结铜之所以越来越获得汽车电子与半导体企业青睐，关键在于其成本低廉、各方面性能优异，同时工艺体系既兼容现有产线，又能通过技术迭代降低生产难度，适配先进封装需求，形成 “低门槛切入、高效率生产、高潜力拓展” 的三重优势。作为专业研发生产各类微焊料厂家，傲牛科技的工程师在和客户深入沟通，深知工艺适配性是企业引入新材料的核心顾虑。 企业引入新材料时，除了成本和性能的平衡外，最担心的是“推倒重来”式的设备

  傲牛科技

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  10/10 10:37

  汽车电子 功率器件
• 纳米铜膏VS普通铜膏：多维度剖析差异

  在电子材料领域，铜膏作为重要的连接与导电材料，广泛应用于电子封装、电路组装等场景。随着技术发展以及应用市场需求的变化，纳米铜膏逐渐崭露头角，在一些专业领域和产品的焊接上得到了广泛应用。与传统普通铜膏相比，纳米铜膏在多个关键维度存在显著差异。 1、产品构成：纳米级VS常规粒径 普通铜膏一般由微米级铜颗粒、有机载体（如树脂、溶剂等）以及少量添加剂（抗氧化剂、触变剂等）构成。微米铜颗粒粒径通常在1-10

  傲牛科技

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  09/26 10:56

  汽车电子 功率器件
• 英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）今日宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品

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  09/25 15:00

  英飞凌 罗姆

  
• SiC MOSFET高效又安全 选好栅极驱动器很重要

  SiC MOSFET高效又安全，选好栅极驱动器很重要 隔离驱动在新能源应用中扮演了非常重要的角色，将直接或间接影响新能源产品的安全性、可靠性、寿命、效率以及成本等，本期从5个方面解读隔离驱动的重要参数； 1.安规方面 2.时间相关的介电击穿（TDDB） 3.共模瞬态抗扰度（CMTI） 4.传输延时（Tpd） 5.驱动能力(Isink&Isource) 1.安规方面 隔离耐压（Viso） 隔

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  1评论

  07/02 09:42

  SiC SiC MOSFET
• 成本降低30%！低温银烧结技术加速SiC器件规模化应用

  导语 在工业电源、电动汽车与航空航天领域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率与耐高温特性正逐步替代传统硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度与高温运行需求，对封装技术提出了前所未有的挑战——传统焊料在高温下易疲劳失效，成为制约性能释放的关键瓶颈。 银烧结技术凭借低温工艺与超高可靠性，成为解锁SiC潜力的‘银钥匙’。爱仕特基于此技术开发的碳化硅模块，已在多个应用场景中验证其性能优势，为行业提供高效、稳

  爱仕特科技

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  04/01 08:28

  碳化硅 SiC功率器件

  
• 数亿元！4家SiC企业获得融资/贷款

  近日，国内又有4家SiC企业完成新一轮融资/贷款，合计金额达数亿元：11月26日，据“合肥高投”等消息，阿基米德半导体已正式完成数亿元战略轮融资，由阳光电源领投，仁发投资共同出资。目前，阳光电源持股比例为10.1695%，在股东中排名第三。

  行家说三代半

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  2024/11/29

  SiC SiC功率器件

  
• 三安、士兰微等5个SiC项目公布新进展

  近日，“行家说三代半”发现，国内新增5个碳化硅项目进展，包括士兰微、三安半导体等。11月21日，据福建环保网公示，厦门士兰明稼SiC功率器件生产线建设项目已完成环保验收，目前正在稳定运行中。

  行家说三代半

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  2024/11/26

  SiC 碳化硅

  
• 科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC

  全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. （以下简称“科索”）生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。强制风冷型“HFA系列”和传导散热型“HCA系列”均搭载了罗姆的SiC MOSFET和SiC SBD，从而实现了最大94%的工作效率

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  2024/10/29

  罗姆 AC-DC

  
• 意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制

  服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推

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  1165

  2024/09/27

  意法半导体 mems

  
• SiC功率器件之争，8英寸是重要拐点？

  近期，全球主要SiC功率器件供应商英飞凌宣布正式启用其位于马来西亚居林工厂第三厂区的8英寸SiC晶圆制造厂一期产线，并已为接下来的8英寸SiC功率器件的量产做好准备。英飞凌官方透露，这一项目总建筑面积为131477平方米，自2021年启动，分两期工程，分别为5年的建设期，其中一期工程投资20亿欧元，未来二期项目投资额更高达50亿欧元，目标是建成全球规模最大且最高效的8英寸SiC功率器件晶圆厂。 马

  高扬

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  2024/08/23

  电动汽车 英飞凌

  
• 碳化硅厂商，忙得不亦乐乎

  业界释出碳化硅已然迈入高速增长期。从市场规模上看，据TrendForce集邦咨询研究指出，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。

  全球半导体观察

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  2024/07/25

  SiC 碳化硅

  
• 国产8吋SiC线开工！年产72万片

  6月18日，据厦门广电网消息，厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目于今天上午正式在海沧区开工。据“行家说三代半”此前报道，该项目总投资120亿，分两期建设，届时将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力，其中：

  行家说三代半

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  2024/06/19

  SiC SiC功率器件
• 2家SiC企业获新订单，又一风口将至？

  近日，“行家说三代半”观察到，国内外有2家SiC头部企业获得新订单，值得注意的是，这两笔订单需求皆与数据中心的电源解决方案紧密相联。随着人工智能的火热化，数据中心作为其基石也在飞速发展，那么，SiC企业将为其提供哪些支持？数据中心为何需要导入SiC？未来的市场空间又有多大？以下“行家说三代半”将逐一揭晓。

  行家说三代半

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  2024/04/03

  SiC 碳化硅
• 基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路

  先进电机应用（如高转速、高频、高功率密度、高温等）需要相匹配的逆变器支持，但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器，Silicon Mobility公司的控制板和软件，超低寄生电感的直流母线电容和

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  1611

  2024/03/01

  SiC 碳化硅

  

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