近日,英飞凌、博世、中车、基本半导体、芯华睿、北一半导体等多家碳化硅企业展示了新一代嵌入式碳化硅(SiC)功率模块,大幅提升出流能力和杂散电感性能。英飞凌推出48V和1200V嵌入式模块,采用扩散焊技术,单模块额定电流达100A;博世模块可承载400A以上电流,杂散电感低至1-2nH;中车采用六并联设计,杂散电感低至2nH;基本半导体展示4并联模块,支持350-400A电流;芯华睿展示1200V SiC CIPB嵌入式功率模组,热阻降低8%,开关损耗降低30%;北一半导体计划2024年中旬实现1200V等级SiC芯片嵌入式PCB封装产品的量产。