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ASR1P5N1200HPD-G型六单元SiC模块1200V1000A

03/20 10:29
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ASR1P5N1200HPD-G型六单元SiC模块1200V1000A

1.33 MB

ASR1P5N1200HPD-G

1200 伏、1000 安、1.3 毫欧,六联封装三相碳化硅金属 - 氧化物半导体场效应晶体管模块

产品特性

耐高温、高湿及偏置工作环境

超低寄生电感,寄生电感<10 纳亨

支持高频工作

MOSFET 关断无拖尾电流

常关型器件,具备故障安全工作模式

铜质基板搭配氮化硅绝缘层

产品优势

助力打造紧凑型、轻量化、高效能系统

适配户外恶劣环境安装

有效缓解过压保护压力

降低热设计要求与系统整体成本

符合 HF、RoHS 相关标准

应用领域

航空控制器

工业控制碳化硅IDM厂家,专注碳化硅功率器件分享电力电子信息,碳化硅器件应用技术等行业资料,一起交流学习。

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