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JSM2103STR 1.2A 250V 单相高同低反栅极驱动芯片

2025/09/03
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JSM2103S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通。

JSM2103S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。JSM2103S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET浮地通道最高工作电压可达250V。JSM2103S采用SOP-8封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。广泛应用于电机控制电动工具、通用逆变器、水泵/热泵控制器电动车/平衡车。可直接替代IRS2103

杰盛微半导体JSMSEMI

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