突发，这类芯片需求暴涨，巨头集体调价！

据《韩国经济日报》报道，三星、SK海力士和美光等主要内存芯片供应商计划将DRAM和NAND存储产品的价格上涨30%，相比上一季度的涨幅超过10%。这一轮涨价势头愈演愈烈，引发业界关注。

市场研究机构TechInsights的数据显示，9月份DRAM现货价格年增幅接近三倍，远超今年上半年温和的个位数增长。

此外，小米总裁卢伟冰也在微博上透露，由于内存芯片价格大幅上涨，导致手机制造成本显著增加，因此新款Redmi K90系列手机的定价也进行了上调。

DRAM价格上涨的原因之一是供应紧张。这一趋势主要是受到高带宽内存（HBM）需求激增的推动，因为HBM所需的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。

摩根士丹利预测，今年包括谷歌、亚马逊、Meta和微软在内的科技巨头将在人工智能基础设施上投入高达4000亿美元。

《朝鲜日报》也提到，出于对DRAM短缺的担忧，几家领先的国际电子和服务器公司正在积极囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签署2-3年的长期供应协议。这一趋势与传统的季度或年度合同形成鲜明对比。

从价格趋势来看，TrendForce预测，届时HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，展现出良好的盈利前景。同时，明年上市的12层HBM4产品的单价预计将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。

据CFM闪存市场近期发布的2025年第四季度存储市场展望报告，预计四季度，服务器eSSD价格将上涨超过10%，DDR5 RDIMM的价格涨幅在10%到15%之间；Mobile嵌入式NAND的涨幅约在5%到10%之间，LPDDR4X/5X价格也将上涨10%到15%；PC端的LPDDR5X/D5预计上涨10%到15%，cSSD价格则涨幅在5%到10%之间。

TrendForce的分析师指出，随着北美云服务商陆续释放出可观的2026年DRAM需求展望，预计整体DRAM需求将继续增长，价格将继续上涨，这一趋势有望延续到2026年。