SiC肖特基：SI02C120SMB

大多数自举电路通常运行在100 kHz以下。

不是设计者想这样。

而是因为硅二极管跟不上。

每个开关周期，自举电容都会通过一个重复的峰值电流进行充电，这个电流必须由二极管来承受。

随着频率升高，这个峰值电流也随之升高。

超过某个临界点，二极管的重复正向电流额定值就会说“不行了”。

于是设计者只能增加一个限流电阻，接受较慢的充电速度，并将开关频率限制在二极管能承受的范围内。

一颗 2A、1200V 的 SiC 肖特基二极管改变了这个天花板的高度。

更高的重复峰值正向电流意味着自举电容可以干净利落地充电——无需限流电阻。

电阻变成了可选项。

充放电速度都提升了。

开关频率可以提高到 MOSFET 和栅极驱动器所允许的范围，

而不是受限于自举二极管扛不住的频率。

热余量也随之而来。

在175°C的结温下，SI02C120SMB可在那些硅器件因降额而变得不可靠的机箱中保持稳定。

同样的二极管位置，更高的天花板。