芯耀
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R&S UHF/VHF 天线“抄作业”能抄什么？哇，前面分享的这个R&S天线逆向分析超级硬核！咱们接着上篇的构造和尺寸参数，继续深挖关键器件、布局原理和那些不明细节。走起！
01、关键器件
关键器件1：规格参数信息
如上图所示基于公开规格，非官方R&S数据BAR64-04 (Infineon PIN 二极管):这货是射频开关的明星器件，硅基PIN结构确保了高频下低插入损耗（典型<0.5dB）和高隔离度（>20dB）。频段1MHz-3GHz完美匹配VHF/UHF（VHF:30-300MHz, UHF:300-3000MHz）。SOT23-3封装小巧，适合天线集成。
应用上，它常用于天线调谐或频段切换——从振子实物图看，上面有12个，估计是控制振子阵列的开关矩阵。耐压高（100V），低失真（IP3>50dBm），ESD防护也强，防止静电击穿。如果抄作业，注意偏置电压（正向偏置导通，反向隔离），电路中可能需串联限流电阻避免过流。
关键器件2：规格参数信息
如上图所示FSX027WF (Sumitomo 射频晶体管):8GHz频率、功率输出0.22-0.28W（23.5-24.5dBm）、增益6.5-14dB、噪声系数2.5dB，陶瓷封装。看起来是LDMOS或GaAs FET类型，专为UHF/VHF放大设计。高效率、低噪声适合接收链路。标签“陶瓷”暗示高热稳定性，耐高温环境。在天线中，可能用于前置放大（LNA）或功率放大。抄作业时，注意匹配网络（输入/输出阻抗通常50Ω），否则增益掉链子。功率增益Gp变异大（6.5-14dB），选型时看批次。
关键器件3：HEF4069UB (六反相器，无缓冲) + LM2903 (双通道差分比较器)
HEF4069UB是CMOS逻辑门，带钳位二极管，能处理高于VDD的输入（耐压15V max）。常用于信号整形或振荡器。这里结合LM2903（低功耗比较器，响应时间1.3μs），估计是构建馈电逻辑电路，控制PIN二极管的切换。无缓冲版响应更快，但噪声敏感。抄时用SPICE模拟逻辑门阈值，避免误触发。LM2903常配 Hysteresis 电路防抖动。
关键器件4：射频巴伦
射频Balun (平衡-不平衡转换器型号不明，但从上下文是核心被动器件，将平衡信号（天线振子）转为不平衡（同轴馈线）。可能宽带型（如1:1或4:1变压比），覆盖VHF/UHF。抄作业可用现成的，但自制需绕线精确。
02、布局原理图分析
先描个外框：天线大概的外框尺寸外框尺寸、振子部分、频段切换和FET放大器原理图看，这设计对称性强，优化了辐射图案和阻抗匹配。实物还原度高，基本是1:1复刻（除了未知器件）。
天线振子部分：
上、下层对称设计，振子长度对应波长（VHF长波，UHF短波）。12个BAR64-04分布在阵列中，通过偏置控制短路/开路，实现频段重构（类似可重构天线）。原理图直观，馈点可能用微带线连接。
频段切换部分：
根据实物还原学习了解的原理图，有错在评论区赐教一下。用比较器+非门逻辑驱动PIN二极管。馈电逻辑：高电平偏置导通，低电平隔离。实现VHF/UHF无缝切换，估计切换时间<1ms。电路简单，但噪声控制关键——用BAV99（双二极管）做钳位保护。
FET放大器部分：
原理图对应下面实物器件编号：
电容+BAV99组合是典型偏置/保护电路。FET（可能是FSX027WF）放大接收信号，增益链路。实物器件编号对应原理图，局部放大图显示走线紧凑，减少寄生电感。
整个原理图除了一个未查到的器件，几乎在不在乎美观的情况下完成了复刻。
03、图示细节不明原理之处拼图
上面是截的图片，布分的的上面原理图一一对应的实物图片所展示的？怕大家看不清压缩的图片，所以搞了这个拼图。
未知器件集成方式：它是否在电源路径（稳压5V/3.3V）或作为辅助开关？丝印Q2AF/2951/CMB，查不到确切型号——可能定制或旧款（试试交叉搜索类似丝印，如On Semi的P2AF系列MOSFET）。某些走线意图：如振子间耦合，是否为相控阵简化版？细节不明，但从对称看，可能是为均匀辐射。
ESD/防护细节：BAR64-04有内置，但整体电路如何防雷/过压？（有泄流电路）
这是导出的 PDF 全图，这些不明处正是折腾乐趣！抄作业时，先用KiCad/Altium模拟整个图，验证S参数（反射损耗、增益）。
04、互动交流
同时，求助大佬们帮忙留言回复那个未知丝印器件Q2AF/2951/CMB的线索！是啥型号？厂商？功能？有查到datasheet的分享链接啊～ 力量无限，期待破解！如果有新发现进一步分析。继续深挖？
