芯耀
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锡银（Sn-Ag）共沉积是半导体先进封装（尤其是 Flip Chip 和 WLCSP）中制造无铅凸点的核心技术。
其核心挑战在于：锡（Sn）和银（Ag）的电化学性质差异巨大，正常情况下根本无法“和平共处”地沉积在一起。
要实现它们按特定比例（通常是 Sn-Ag 1.0%~3.5%）同时沉积，必须通过复杂的化学手段来“拉平”两者的电位差。
锡银共沉积根本难题：巨大的电位差
从电化学热力学角度看，Sn 和 Ag 是电位差相差极大的两种金属：
银: 标准电极电位 E≈+0.80 V（贵金属，极易还原沉积）。
锡 : 标准电极电位 E≈ -0.14 V$（贱金属，较难还原）。
后果：
如果简单地把锡盐和银盐混在酸性溶液里通电：
置换反应： 还没通电，溶液里的银离子就会抢夺锡板上的电子，直接置换出来（2Ag（+ ）+ Sn --》 2Ag + Sn（2+）），形成疏松的“海绵银”。
优先沉积： 通电后，电流会全部用来还原银，直到溶液里的银耗光了，才轮到锡沉积。结果是：先镀出一层纯银，再镀出一层纯锡，而不是合金。
怎么能让锡银共沉积？
为了让两者同时沉积，必须“压制”银的活性，使其析出电位大大负移，向锡靠拢。
这是通过加入络合剂来实现的。
原理： 络合剂会与银离子紧紧抱在一起，形成带正电或中性的络合物离子 。 银离子被“锁”住了。要把它还原成金属银，电子必须先花费很大的能量打破这个络合结构。
结果：银的还原电位从 +0.80V剧烈下降到 -0.1V 甚至更负，与锡的电位发生重叠。
完整的共沉积过程？
吸附： 锡离子、银络合物、添加剂吸附在晶圆表面的阴极双电层。
解离 (针对银)：银的络合物在阴极界面解离，释放出 Ag（+）。
电荷转移 (还原)：
Sn（2+}）+ 2e- --》Sn
Ag（+） + e- --》 Ag
这两个反应在同一微小区域内同时发生，速度由电流和扩散共同决定。
结晶 ： 还原出来的 Sn 原子和 Ag 原子共同堆砌。由于 Sn 是基体，Ag 原子会分散在 Sn 的晶格中，或者形成微小的 Ag3Sn 金属间化合物颗粒，最终形成共晶或近共晶合金。
