晶圆电镀为什么容易边缘后中间薄？

晶圆电镀时，电子的流向？以电镀铜为例，如果我们追踪电子的运动方向（从电源负极出发），整个过程是这样的：

1，电子从直流电源的负极流出。

2，电子首先到达电镀机台的阴极导电环。这些金属触点紧紧压在晶圆的最边缘（通常只有 1-2mm 宽的区域）。

3，电子从边缘的触点进入晶圆表面的种子层（Seed Layer）。

  注意：电子几乎不走下面的硅基底，因为硅是半导体，电阻远大于表面的金属铜种子层。电子主要沿着这一层只有几百纳米厚的铜膜，像水流一样从边缘向晶圆中心扩散。

4，当电子流经种子层表面的某一点时，正好遇到了电解液中游过来的铜离子。

5，电子被铜离子捕获，发生还原反应

铜离子变成了固态铜原子，沉积在晶圆表面。

6，在阳极那边，铜阳极失去电子变成离子进入溶液，补充消耗。

那么对于电流来说：

晶圆电镀通常通过边缘的触点导电。电流从晶圆边缘进入，通过种子层流向晶圆中心。

种子层 = 电阻，种子层通常很薄（几百纳米），虽然是金属（铜），但因为太薄，它具有显著的方阻。

当电流从边缘流向中心时，由于种子层的电阻，电压会逐渐下降。

结果：

晶圆边缘电位高， 电流密度大 ，沉积速率快。

晶圆中心电位低， 电流密度小，沉积速率慢。

这就是为什么如果控制不好，电镀出来的晶圆通常是“碗状”的（边缘厚，中间薄）。

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