意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能，缩减 PCB面积，适合配电应用

意法半导体推出一系列低导通电阻 (RDS(on))的MOSFET功率开关管。系列产品采用智能 STripFET F8技术，其设计旨在实现最佳的导电性能和较小的芯片尺寸，面向汽车配电系统、电池管理系统等空间受限的应用场景。

新系列首款产品STL059N4S8AG是一款 40V/420A N 沟道增强型 MOSFET，导通电阻 RDS (on)为0.59mΩ，采用 PowerFLAT 5x6 封装。紧凑的外形可节省 PCB 空间，便于设计更小的控制模块；同时高导热性和高效散热性能有助于满足严苛的可靠性指标。该器件还将最高工作温度提高至175℃。STL059N4S8AG 通过了 AEC‑Q101 车规认证，采用可湿润侧面封装，便于汽车装配中的光学检测。

意法半导体的智能 STripFET F8 技术在传统 STripFET F8 的基础上优化了沟槽栅极结构，提升了导通性能与芯片面积利用率。该系列器件适合那些需要通过最小化导通损耗来提升整体能效的应用场景，尤其适用于大电流配电场景，与意法半导体的 STi²Fuse VIPower 栅极驱动器配合使用，节能效果更佳。该栅极驱动器具备可调节的断路保护功能，保护 PCB走线、连接器及线束的电气安全。在汽车应用中，智能 STripFET F8 MOSFET 能够将电池电能更高效地输送至车载电气系统，同时降低耗散功率，延长续航里程。在以电芯状态监测、负载均衡与安全保护为核心功能的电池管理系统(BMS)中，新系列 MOSFET 更低的导通电阻 RDS(on)可有效提升电池充放电效率。

STL059N4S8AG 目前已量产，符合汽车级标准。意法半导体后续还将推出额定电流 350A、导通电阻 0.75mΩ 的 STL075N4S8AG和额定电流 780A、导通电阻 0.35mΩ 的 STK035N4S8AG 。