禾润 HTD8215 单通道直流有刷电机驱动芯片 佰泰盛世

摘要：

智能家居、办公设备、小型工业控制里面大量用到直流有刷电机，分立 MOS 搭 H 桥外围器件多、调试复杂；普通驱动芯片存在导通损耗大、休眠功耗高、保护机制简单等问题。禾润 HTD8215 单通道 H‑桥直流有刷电机驱动，ESOP‑8 带散热焊盘封装，支持最高 4A 连续、6A 峰值输出，集成同步整流、快慢衰减模式、低功耗休眠，内置全套硬件保护，简化直流电机硬件设计。

一、直流有刷电机驱动的工程现实痛点

在打印机、家电、智能家居执行机构、小型工控设备开发中，直流有刷电机驱动经常遇到几类典型问题：

分立 H 桥方案器件繁多，4 颗 MOS + 逻辑电平器件，占用大量 PCB 面积，BOM 成本高，功率走线设计难度大。

导通损耗高，发热严重，大电流工况下芯片温升快，密闭外壳容易触发过热停机。

续流方式单一，缺少快慢衰减可配置，电机转速抖动、噪音大，制动效果达不到产品要求。

待机功耗难控制，设备待机时驱动芯片持续耗电，电池供电场景会造成电量损耗。

保护功能缺失，电机堵转、短路、电源跌落时，缺少过流、热关断、欠压锁定，容易烧毁芯片或者后端 MCU。

HTD8215 集成完整 H 桥功率级，采用 ESOP‑8 封装，把功率管、电荷泵驱动、保护检测全部片内集成，直面上述工程痛点。

二、核心硬件亮点解析

1、宽电压大电流能力，低导通损耗

供电 VM 电压范围5.5V‑16V，适配 12V 主流电机供电系统；连续输出电流 4A，峰值电流可达 6A，可以应对电机启动、堵转瞬间冲击电流。 高低侧 MOS 总导通电阻典型180mΩ，同步整流架构，相比二极管续流方案大幅降低续流损耗，减少整机发热，提升系统效率。芯片内置电荷泵，保证高侧 MOS 可靠驱动。

2、快慢衰减模式软件灵活配置，适配不同电机调速需求

通过 IN1、IN2 两路逻辑输入引脚，即可配置快衰减、慢衰减两种续流模式：

快衰减：电流经由 H 桥体二极管续流，适合需要快速刹车、转速响应快的场景；

慢衰减：两个下管同时打开实现同步续流，纹波更小，电机运行噪音更低，适合低速平稳运转场景。

PWM 支持最高 100kHz 工作频率，MCU 普通 IO 口直接控制，无需额外电平转换，内置 200ns 硬件死区时间，从硬件层面规避上下管直通炸管风险。

3、硬件休眠模式，大幅降低空闲功耗

当 IN1、IN2 同时维持低电平超过 1ms，芯片自动进入休眠状态，H 桥关闭、电荷泵停止工作，休眠电流典型仅4μA。 当任意输入引脚拉高≥5μs，芯片自动唤醒恢复工作。电池供电设备，待机阶段可以进入休眠，避免静态电流消耗电源能量。

4、全套片内硬件保护，提升整机鲁棒性

OCP 过流保护：输出电流超过阈值，关断输出，2.3ms 后自动重试，应对电机堵转冲击；

TSD 热关断：结温达到 150℃触发保护，温度回落自动恢复，防止密闭环境过热烧毁；

UVLO 欠压锁定：电源电压不足时，禁止 H 桥输出，避免电机工作异常和 MOS 管工作于不安全区间。

保护全部硬件自主完成，不需要 MCU 参与干预，故障移除之后自动恢复，提升终端设备可靠性。

三、外围器件与 PCB 设计要点

器件采用 ESOP‑8 封装，底部 PPAD 裸露焊盘必须大面积铺铜接地，增加散热过孔，大电流工况下把热量导出 PCB，防止过热保护频繁触发。

VM 电源引脚就近放置47μF 电解 + 0.1μF 陶瓷电容，抑制电机工作带来的电源尖峰噪声；

电机功率输出走线 OUT1、OUT2 尽量短粗，降低走线压降；功率走线远离 IN1、IN2 逻辑输入走线，避免功率噪声耦合干扰逻辑电平；

IN1、IN2 内部自带 100kΩ 下拉电阻，闲置状态默认拉低；

PWM 频率建议不超过 100kHz，逻辑输入电平不要超过 5.25V；

合理评估连续工作电流，不要长期运行在接近芯片电流上限，预留温升余量。

典型应用场景：打印机办公自动化、智能家居执行机构、家电、小型工业控制直流有刷电机驱动。

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