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元器件笔记｜惠海半导体原厂HC6P04M P 沟道 MOS 管基础参数与应用场景
HC6P04M（ 17P04MOS管）属于沟槽工艺低压 P 沟道增强型MOS管，额定参数为 - 40V、-17A，具备低导通内阻、低结电容的电气特性，栅极可在低至 - 4.5V 电压条件下实现驱动。
该器件依托沟槽工艺架构，具备较低的栅极电荷，有助于降低开关过程中的驱动损耗，同时拥有对应的电流承载能力，器件为无铅规格。
惠海半导体原厂HC6P04M P 沟道 MOS 管特性要点：
✅ 低栅极电荷，适配高频开关工况
✅ 支持低栅压开启，栅极工作电压可至 - 4.5V
✅ 具备相应功率与电流承载能力
✅ 无铅封装
惠海半导体原厂HC6P04M P 沟道 MOS 管典型电路应用方向：
可在加湿器、雾化器、美容小家电、蓝牙音箱、电弧打火机、车灯、舞台灯、马达驱动、逆变器、无线充、POE 供电、无刷电机、电动工具、PD 快充、太阳能电源、防盗器、充电器、电动车转换器等设备的电源与开关回路中选用。
惠海半导体原厂中低压MOs管VDS±20V-±250V系列：
P管SOT23-3L:340110P03 5P04 4P06 5P10
N 管 SOT23-3L:3400 8N03 6N04 6N06 3N10 5N10 6N10 2N15 5N12
15N10 30N10 50N10 90N10 30N12 15N15 50N15 10N20
N 管 PDFN5*6 TO-252:30N03 60N03 90N03 120N03 100N04 90N04 30N06 50N06 90N06 120N06
P管 TO-252:100P02 60P06 30P10 50P10 20P15 20P20N管 SOT89:15N1012N06 40N06 20N03 40N0615N15 10N20
N 管 PDFN3X3 : 30N03 60N03 90N03 25N06 50N06 70N06 15N10 25N10 45N10 70N10 10N15
惠海半导体原厂-20VPMOS管、-30VPMOS管、-40VPMOS管选型：
HCD004P02L、HCK004P02L、HCK006P02L、HCD006P02L、HC3401M、HC3407Y、HC3407A、HCD006P03L、HCC010P03L、HCD010P03L、HCE010P03L、HCD016P03L、HCM016P03L、HC4P04M、HCC3P04、HC4P04、HC5P04、HC6P04M、HC010P04M、HC030P04M、HC40P59P、HC045P04M
