芯耀
与非AI
43
意法半导体的 B-M2MEM-PACK1 是一套 M.2 串行存储器板套装，内含五款不同厂商的非易失串行存储器附加板。它们通过 M.2 Key A 串行存储器连接器接到特定 Nucleo-144，用于开发需要外部 Flash 的应用；首页场景侧重 STM32C5 原型上的即插即用外存评估。
背景：外存评估需要同时覆盖厂商、电压与总线
外部串行 Flash 选型时，厂商工艺、工作电压、最高时钟和 1/2/4/8 bit 等总线方案往往一起变化。若每次换料都重新布线，原型节奏会被互连拖住。B-M2MEM-PACK1 把多家存储器做成统一的 M.2 Key A 附加板形态：每板一颗由 MCU 控制 LDO 供电的串行存储器 IC，并带 I²C 识别 EEPROM、红绿 LED，以及 8 引脚 SOP / 24 引脚 BGA 空座，便于后续换成自选料号。
产品状态为 Active（已量产），工业级，Ecopack1。订购入口在 ST 电子商城。
默认五板规格（数据简报 DB5690）
| 板名 | 存储器厂商 | 串行存储器 | 容量 (Mbits) | 工作电压 | 板载 LDO | 最高时钟 | 串行总线方案 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB1927-33BA | MACRONIX | MX25LM51245GXDI00 | 512 | 2.7–3.6 V | 3.3 V | 133 MHz | 1 & 8 bit STR, DTR |
| MB1927-18BA | MACRONIX | MX25UW25645GXDI00 | 256 | 1.65–2.0 V | 1.8 V | 133 MHz（1 bit）/ 200 MHz（8 bit） | 1 & 8 bit STR, DTR |
| MB1928-33LA | ISSI | IS25LP032DJNLE-TR | 32 | 2.30–3.60 V | 3.3 V | 133 MHz | 1, 2, 4 bit STR, DTR |
| MB1928-33LB | WINBOND | W25Q16JVSNIQ | 16 | 2.7–3.6 V | 3.3 V | 133 MHz | 1, 2, 4 bit STR |
| MB1928-18LA | STMICRO | M95P32-IXMNT/E | 32 | 1.6–3.6 V | 1.8 V | 80 MHz | 1, 2, 4 bit STR |
板级参考：MB1927、MB1928。完整条件与订购信息以数据简报为准。
选型与导入路径
- 确认所用 Nucleo 是否在兼容列表：NUCLEO-C5A3ZG、NUCLEO-H5E5ZJ、NUCLEO-U3C5ZI-Q。
- 按 MCU I/O 电压域，在 3.3 V LDO 板与 1.8 V LDO 板之间建立短名单，再对照容量与总线宽度。
- 查阅 TN1618，确认 M.2/SerialMemory（复用 M.2 Key A，面向 XSPI 串行存储器）上的强制信号：串行 EEPROM 识别用的 I²C/I3C，以及 LDO_Enable；并按 MCU 能力核对可支持的 Quad-SPI / Octo-SPI / Hexadeca-SPI 组合。
- 在电子商城订购 B-M2MEM-PACK1，价格与库存以商城现场显示为准。
需要另行确认的内容
电压兼容（安全提示）： 将存储器附加板接到 MCU 板之前，务必核对电气电压是否兼容。存储器板与 MCU 板电压不一致时，可能损坏存储器。具体工作电压与 LDO 档位以数据简报表格为准。
功能安全、认证等级及个别存储器料号的极限参数，请分别查阅对应存储器数据手册与官方最新资料；本稿不替代器件级验证。
延伸阅读
- ST 电子商城 B-M2MEM-PACK1：https://estore.st.com/en/b-m2mem-pack1-cpn.html
- 中文产品页：https://www.st.com.cn/zh/evaluation-tools/b-m2mem-pack1.html
- 数据简报 DB5690：https://www.st.com/resource/en/data_brief/b-m2mem-pack1.pdf
- 技术说明 TN1618（M.2/SerialMemory 接口）：https://www.st.com.cn/resource/en/technical_note/tn1618-m2serialmemory-interface-specification-stmicroelectronics.pdf
参数以意法半导体官方最新资料为准。
阅读全文
