安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，以高可靠性赋能高压大功率应用

安世中国首款 IGBT 功率模块支持 175℃ 结温持续运行，兼具低损耗、高功率密度与面向恶劣工况的超高鲁棒性

行业领先的基础半导体器件与解决方案供应商安世中国推出面向 1200V 的 ND3 半桥 IGBT 模块系列，进一步扩充其高压功率器件产品组合。作为安世中国首款 IGBT 功率模块，该系列采用公司最新的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）沟槽栅先进场截止（FS）技术，提供 1200V 电压等级及 480A、600A、900A 三档电流，满足工业客户对高效高压功率转换与电机驱动日益增长的需求。

该产品系列为中速半桥模块，旗舰型号为 NT900T12D3M7，针对 1-20kHz 开关应用进行了优化，可在高达 175℃ 的结温下持续运行，并具备极低的导通压降 VCE(sat) 与开关损耗（Eon/Eoff），实现无振荡的平滑关断与开通，让大功率转换更加节能。模块在 150℃ 下可承受 8µs 短路，为关键任务留出充足安全裕量，配合面向恶劣工况的强化设计，保障长期可靠运行。优化的大电流承载与紧凑封装，帮助整机实现更高功率密度。该系列可广泛应用于通用变频器、工业伺服与电机驱动、光伏逆变器、有源电力滤波器（APF）、不间断电源（UPS），以及公交客车、重卡等商用、农业与工程车辆（CAV），覆盖高达 300kW 的大功率应用。

安世中国功率器件事业部总经理苑志辉表示：“传统工业电源市场，尤其是 300kW 级电机，正持续向更高效率升级，并加速工业系统的电气化进程。随着安世中国的 IGBT 产品组合扩展到 1200V 模块，我们已做好准备，全力支持工业客户应对不断增长的市场需求，从低压到高压系统，为客户提供更丰富的开关性能选择。”

安世中国的 ND3 半桥 IGBT 模块采用行业标准的 62mm × 122mm 封装，与 EconoDUAL3™ 平台引脚兼容，符合 IEC 质量标准，支持预涂导热界面材料（TIM）与压接引脚（Press-fit）。针对油气、矿山等腐蚀环境，该系列还提供经 H₂S 防护强化的超高鲁棒版本。

ND3 系列六款型号现已全面量产。

*EconoDUAL3™ 是英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）的注册商标。