英特尔10nm工艺出大招，QWFETs是个啥技术

早在2011年，英特尔前首席执行官保罗•欧德宁曾在电话会议上宣称将发布可以改变行业游戏规则的公告。该公告终于在2011年5月揭开面纱，原来是英特尔将在其22纳米制造工艺上实施FinFET晶体管技术。

FinFET让英特尔在业界大幅甩开了竞争对手，微处理器专家David Kanter认为，该技术实现了晶体管性能的两代飞跃。英特尔开始在2011年年底大批量生产22纳米技术的芯片，首款采用该技术的产品-Ivy Bridge-在2012年年初正式上架销售。

据Kanter透露，在10纳米工艺节点上，英特尔类似于FinFET的突破呼之欲出。

QWFETs！

在深入追踪英特尔公布的研究报告后，Kanter认为，该芯片巨头将会在其10纳米芯片上实施被称为量子阱（场效应管）或QWFET的技术。

根据Kanter的说法，这项技术将使得英特尔能够实现“在低达0.5V的标称工作电压水平上实现卓越的晶体管性能”，这相当于“标称电压大致为0.7V左右的FinFET”。

换句话说，这种技术应该能够让英特尔提供更快、功耗更低的芯片。

英特尔在10纳米节点上采用QWFET，业界其它厂商则计划在7纳米节点引入该技术。

Kanter认为，英特尔不等到7纳米节点而在10纳米节点上就采用该技术，将很有可能“给英特尔留下充分的研究时间，并在新制造工艺上掌控历史性节奏”。

Kanter还认为，英特尔只有到“业界普遍在7纳米节点上使用量子阱场效应管时”才会面临真正的竞争。

难道这就是为什么英特尔在10纳米的话题上这么沉默？

英特尔一直在其10纳米制造工艺的时间点和技术细节上保持沉默。该公司表示，它计划继续在10纳米节点上激进地降低晶体管及其互连尺寸，以发挥晶体管成本代际下降的优势。

如果英特尔计划激进地降低芯片面积，并迁移到一个全新的工艺上，也难怪它在其10纳米节点的时间路线图上这么沉默。因为，在那么多的前沿上进行那么多的改进，以让它可以大批量生产，很可能充满了大量的不确定性，从而困难重重。

它会成为英特尔的大杀器吗？

如果英特尔能够像Kanter认为的那样，在2015年底/2016年初大批量生产10纳米芯片，它将能够继续保持对其他代工厂商的优势。

好消息是，如果英特尔确实有一个现成的“革命性”的10纳米技术，那么这可以助力其在移动设备领域的野心 - 只要英特尔可以有效地执行其产品定义和实现。

尽管英特尔也曾经在FinFET技术上保持了相当长一段时间的领先优势，但它并没有把这个优势延续到其移动产品上。在制造技术上保持领先当然是一个有力的推动者，但在我看来，产品的执行更加重要。

作为英特尔的投资者，我很期待看到Kanter的预言最终能够成功。

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