不是英飞凌、德州仪器，射频GaN-on-Si专利大户是这三家

根据分析机构 Yole 的数据显示，英特尔和 Macom 在射频的 GaN-on-Si 专利领域处于领先地位。

Yole 机构称，英特尔的 RF-GaN-on-Si 专利组合主要涉及用于 SoC 的 III-N 晶体管、RF 开关、超短沟道长度、场板和 III-N/ 硅单片集成电路。英特尔采取了全球专利战略，在美国和中国台湾分别有 17 项和 20 项专利正在申请中。

此外，富士通（Fujitsu）拥有 40 多项专利，Macom 拥有 20 多项专利，在 GaN-on-Si 射频领域的可执行知识产权方面处于领先地位。其中富士通的投资组合专注于硅基 GaN 材料，特别是缓冲层，其发明可能在其他衬底上实现，包括 SiC 或其他应用。

与英特尔一样，富士通也采取了全球专利战略。相比之下，Macom 的产品组合更侧重用于 RF 的 GaN-on-Si 器件，解决外延、器件、模块和封装级别的特定技术挑战。例如，为了通过 HEMT-epi 结构中的反掺杂剂来解决寄生通道，2015 年进行了一项强有力的专利申请工作。

Yole 在其新的 GaN on Silicon 专利分析中确定了 10 多项相关专利申请。此外，Macom 与 GaN-on-Si 相关的专利主要集中在美国，尽管它现在已经要求国外对大量新发表的发明进行延期。

Yole 表示：“对 GaN-on-Si 技术用于电力应用的兴趣日益增长，但这并没有显著地加速专利申请活动，”然而，我们观察到英飞凌在收购 IR 后有稳步的专利申请活动，美国初创企业 Transphorm 成为一匹黑马产品组合显著增强，源于富士通将其电源业务移交给这家公司。

Transphorm 的知识产权地位在 2014 年与 Furukawa Electric 达成许可协议后得到进一步加强，Furukawa Electric 是 GaN on Si 专利领域的关键知识产权参与者。同样，英飞凌科技也与另一家老牌 GaN 玩家松下签订了一项重要的知识产权许可协议，涉及 Si 和电力电子专利领域。

ST 在 2018 年宣布了一项与 CEA Leti 合作的研发计划，CEA Leti 在 GaN-on-Si 专利领域处于有利地位。

“在过去的几年里，在电力电子行业，我们看到了市场对 GaN-HEMTs 越来越感兴趣，与 Si-MOSFET 相比，GaN-HEMTs 带来了诱人的性能和成本竞争力，”Yole 介绍，“除了创新的初创公司，几乎所有电力电子行业的集成设备制造商都提出，与硅 MOSFET 解决方案相比，GaN-on-Si 器件使系统具有更高的功率、更高的效率和更小的脚印。”

Yole 表示，在电力电子领域，GaN-on-Si 器件是中压硅 SJ-MOSFET 的直接竞争对手。