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因应日趋严苛的能源效率规范，特别是像server power的应用，从白金效率甚至是钛金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在静态切换的应用场合，减少功率损耗以提升效率，特别是针对高输出功率的产品设计。S7系列MOSFET应用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系统效率，与传统bridge diode相比，在230Vac输入时在50% load约可提高0.5%，而115Vac输入时在50% load约可提高1%。利用JRC NJ393C OP比较器搭配精简的电路再使用DC电压来对EVB上之pin脚供电即可实现此一高效率之测试结果。为提高系统的功率密度与自动化生产流程，S7系列MOSFET也推出各式封装，特别是SMD封装，在减少体积上有很显著的帮助，尤其是且有top side散热的技术，对于降低MOSFET本身温度与提高系统稳定度有很好的改善。因此可轻易符合美国能源效率法规DOE与欧盟CoC能源协议规范，来达到降低成本、体积缩小、符合新一代环保节能与高效率之产品设计。
核心技术优势
1. 电路精简只需要4颗MOSFET与OP比较器即可完成active bridge电路
NJ393C为高集程度OP比较器，具有下列特点
提供宽范围的电源供应与双电源供应：+2V~36V或+/-1V~+/-18V
低操作电流：0.45mA at Vcc=5V
低偏压电流：20nA
输入共模电压范围
低输出饱和电压：80mV,typ
相等供应电源之差动输入电压范围：+/-36V
TTL、DTL、ECL、MOS与CMOS相容输出
内部ESD防护：HBM>+/-2KV
2. 与传统bridge diode相比在低电压输入时约可提升1%效率，在高电压输入时约可提升0.5%效率
3. 在系统平均效率上可满足钛金效率之能源需求
4. 可依据价格与效率需求来选择适合MOSFET Rds-on等级产品
5. 可依据系统空间与功率密度来选择适合MOSFET封装产品
方案来源于大大通
