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339、基于NE555控制multisim的BOOST升压仿真电路设计（仿真图）
说明：
本仿真使用multisim进行仿真，BOOST升压拓扑结构，实现升压输出，通过调整PWM的占空比，实现升压不同电压值输出，满足不同设计要求；
其中， U0/Us=1/1-D (U0为输出电压，Us为输入电压，D为占空比)
假如上图中占空比为60% , 则理论输出电压为 U0=5/（1-0.6）= 12.5V
A1为NE555定时器电路，，通过调整电阻，调整输出PWM的占空比；
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| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5CEFA9F27I7N | 1 | Intel Corporation | Field Programmable Gate Array, 301000 CLBs, 622MHz, 301000-Cell, CMOS, PBGA672, 27 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-672 |
|
|
$2903.48 | 查看 | |
| ATXMEGA128A1-AU | 1 | Microchip Technology Inc | IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP |
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|
$8.12 | 查看 | |
| SDINBDG4-8G-I1 | 1 | SanDisk Corporation | Flash, |
|
|
$8.47 | 查看 |
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