硬件工程师在面对输入电压超过100V的降压设计时,往往需要外置高压MOS、驱动芯片,并精心布散热。H6253HV将200V MOSFET、控制器、环路补偿、保护逻辑全部集成在一颗ESOP-8封装内,且底部散热焊盘连接至VIN和内部MOS漏极,可大面积敷铜散热,显著降低芯片温升。
设计便利性亮点:
散热实测数据参考:在VIN=72V,VOUT=12V,IOUT=1.2A,自然对流条件下,芯片表面温度约85℃(环境25℃),满足绝大多数消费和工业应用。
封装与订购: H6253HV (ESOP-8),标准编带包装,支持自动贴片。提供完整设计参考原理图和PCB布局指南,让您的产品快速上市。