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H6253HV —ESOP-8封装,集成散热垫,8-200V高压降压设计

  • 型号:H6253HV
  • 制造商:东莞市惠海半导体有限公司
联系方式:18925796970

产品详情

参数

  • 内置高压MOS

    200V

  • 宽压输入

    8V-180V

  • 输出电压

    3.3V

  • 持续电流

    1.5A

  • 转换效率

    95%

  • 待机功耗

  • 输出线损电压补偿

    支持

  • 输出电压精度

  • 软启动功能(SS)

    支持

  • 过流保护功能(OCP)

    支持

  • 过热保护功能(OTP)

    支持

介绍

硬件工程师在面对输入电压超过100V的降压设计时,往往需要外置高压MOS、驱动芯片,并精心布散热。H6253HV将200V MOSFET控制器、环路补偿、保护逻辑全部集成在一颗ESOP-8封装内,且底部散热焊盘连接至VIN和内部MOS漏极,可大面积敷铜散热,显著降低芯片温升。

设计便利性亮点:

  • 最少外围器件:仅需输入电容、输出电容、电感续流二极管、反馈电阻即可构成完整降压电源

  • 峰值电流模式:内置斜坡补偿,环路稳定,无需额外补偿网络

  • 最小开关频率5kHz:即使在极轻载下也不会进入无序突发模式,输出纹波可控

  • 输出可调:通过两颗电阻即可设置输出电压(最低3.3V),输出电流限流值可通过采样电阻调节

散热实测数据参考:在VIN=72V,VOUT=12V,IOUT=1.2A,自然对流条件下,芯片表面温度约85℃(环境25℃),满足绝大多数消费和工业应用。

封装与订购: H6253HV (ESOP-8),标准编带包装,支持自动贴片。提供完整设计参考原理图PCB布局指南,让您的产品快速上市。