MMRF1016HR5 2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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MMRF1016HR5 2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET - Data Sheet

The MMRF1016HR5 is a 600 W RF power LDMOS transistor and is designed primarily for wideband RF power amplifiers with frequencies up to 500 MHz. This device is unmatched and is suitable for use

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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