测量簧片开关灵敏度和接触电阻应用说明

2023/11/04 作者：力特奥维斯Littelfuse

374

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

测量簧片开关灵敏度和接触电阻应用说明

本应用说明的目的是记录读取Littelfuse簧片开关的灵敏度和接触电阻的首选方法。

术语

•触点电阻或CR是簧片开关在触点闭合时的电阻。其测量单位为欧姆(Ω)或莫姆(mΩ)，其中0.1欧姆= 100莫姆。

•拉入或PI是SPST(形式A)簧片开关关闭时的磁化水平。有时使用的其他术语是拾取(PU)或操作点。拉入以AT(安培*匝)为单位进行测量。有时也写成At或NI，后者表示匝数(N)和电流(I)。

•退出或DO是SPST(形式A)簧片开关打开的磁化水平。它有时被称为释放点。像拉入一样，这是用辅助交流系统的单位来测量的。

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	参考价格	更多信息
ZXMP6A13FTA	1	Zetex / Diodes Inc	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-3	$0.62	查看
EZADT22AAAJ	1	Panasonic Electronic Components	RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 47ohm, 12V, 0.000047uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP	暂无数据	查看
1N4001G	1	Rectron Semiconductor	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	$0.07	查看

原创声明：本文为力特奥维斯Littelfuse原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。

Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起