G.fast的目标数据速率是利用类似于DSL的技术在100 米的单根双绞线(24 AWG/0.5 毫米)上达到1千兆字节/秒。
这种TDD(时分双工)信号是与现有的FDD(频分双工)DSL信号的主要区别。G.fast的带宽将扩展到106兆赫(有可能高达212兆赫),起始频率在2.2兆赫到30兆赫之间,以避免干扰现有的xDSL服务。G.fast可能也会采用“开槽”,其将在特定的个别频率上对运营商进行禁止,以避免与本地射频服务相冲突。
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扫码加入参考设计 - G.fast 线路驱动器 三级过电压保护
G.fast的目标数据速率是利用类似于DSL的技术在100 米的单根双绞线(24 AWG/0.5 毫米)上达到1千兆字节/秒。
这种TDD(时分双工)信号是与现有的FDD(频分双工)DSL信号的主要区别。G.fast的带宽将扩展到106兆赫(有可能高达212兆赫),起始频率在2.2兆赫到30兆赫之间,以避免干扰现有的xDSL服务。G.fast可能也会采用“开槽”,其将在特定的个别频率上对运营商进行禁止,以避免与本地射频服务相冲突。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2222A-TP | 1 | Micro Commercial Components | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$0.13 | 查看 | |
| IPB65R190CFDATMA2 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, TO-263, D2PAK-3 |
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暂无数据 | 查看 | |
| DR1050-150-R | 1 | Cooper Industries | General Purpose Inductor, 15uH, 30%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, ROHS COMPLIANT |
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$1.5 | 查看 |
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Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
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