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ASR8N1200ME3封装ME3 碳化硅（SiC）62mm功率模块

2025/10/11 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASR8N1200ME3封装ME3 碳化硅（SiC）62mm功率模块

1.08 MB

ASR8N1200ME3碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；
3. 适用高温、高频应用；

4. 参数范围： VDS：1200V ID：210A RDS(on) ：7.5mΩ

了解更多三代半碳化硅MOS与SiC模块信息，请关注微信公众号

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