ASC800N1200HPDF碳化硅三相全桥模块风冷散热版

04/10 07:48 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N1200HPDF

1200 伏、800 安、2.0 毫欧、六单元（三相）碳化硅 MOSFET 模块

HPD 系列模块采用本公司 1200 伏第三代 N 沟道碳化硅 MOSFET，内置 NTC 温度传感器。

可在高温、高湿、高偏置电压环境下工作

超低杂散电感＜10 纳亨

支持高频工作

MOSFET 关断无拖尾电流

常关型，故障安全运行

铜质平面基板 + 氮化硅绝缘层

实现系统小型化、轻量化、高效率

可安装于严苛户外环境

减少散热需求，降低系统成本

应用领域

碳化硅IDM厂家，专注碳化硅功率器件。请添加个人微信15919711751，分享电力电子信息，碳化硅器件应用技术等行业资料，一起交流学习。

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