当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。下面小编给大家介绍一下“内存时序是什么意思 内存时序高好还是低好”
1.内存时序是什么意思
内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
2.内存时序高好还是低好
内存时序参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味着更快的性能，所以在内存频率相同的情况下，内存时序越小越好。 一般情况下我们只需要看内存时序中的第一个数字，数字越小越好。
