苏州芯硅电子科技有限公司

• 中国十大湿法清洗设备盘点与核心技术解析

  在中国半导体产业崛起的浪潮中，湿法清洗设备作为晶圆制造的核心装备，正扮演着越来越重要的角色。在众多优秀企业中，芯矽科技凭借其卓越的技术创新能力和对品质的不懈追求，脱颖而出，成为国内领先的半导体湿法清洗设备供应商之一。 一、芯矽科技：国产湿法清洗设备的创新引领者 苏州芯矽电子科技有限公司（简称“芯矽科技”）成立于2018年，总部位于江苏苏州工业园区，是一家专注于半导体湿法清洗设备研发与生产的国家高新

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  12/03 15:20

  半导体 晶圆制造
• 晶圆湿法清洗设备核心功能与技术突破

  晶圆湿法清洗设备是半导体制造中用于去除晶圆表面污染物的关键设备，其功能可系统归纳如下： 一、高效化学清洗与物理强化协同 化学腐蚀溶解 氧化分解：利用强氧化性试剂（如SPM硫酸-过氧化氢混合液）将有机物氧化为CO₂和。 酸性/碱性溶解：SC-2盐酸-过氧化氢溶液溶解金属离子；DHF稀释氢氟酸去除自然氧化层（SiO₂），形成氢终止表面防再吸附。 物理作用增强 超声波/兆声波：20–40kHz超声波通过

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  12/03 14:46

  晶圆 晶圆制造设备
• 化学清洗机，对晶圆处理分为哪几个阶段?

  化学清洗机对晶圆的处理通常分为以下五个核心阶段，每个阶段针对不同污染物并采用特定技术组合： 一、预清洗（Pre-Clean） 目的：去除松散颗粒和大尺寸污染物，为深度清洗奠定基础。 方法： 去离子水冲洗：初步溶解可溶性杂质。 超声波清洗：利用空化效应破坏颗粒与晶圆表面的结合力，尤其适用于亚微米级颗粒去除 创新点：部分设备引入动态旋转机制（顺时针/逆时针交替），增强流体冲刷力，提升颗粒剥离效率。 二

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  12/02 15:03

  晶圆 超声波清洗机
• sc1和sc2清洗工艺

  SC-1和SC-2清洗工艺是半导体制造中常用的两种湿法清洗技术，以下是关于这两种清洗工艺的介绍： SC-1清洗工艺 配方组成：通常由氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水（H₂O）按体积比1:2:5~1:2:7混合而成5。 作用原理：氨水提供碱性环境，腐蚀硅片表面的自然氧化层（SiO₂），使附着的颗粒脱离晶圆表面；过氧化氢作为强氧化剂，分解有机物并氧化硅片表面形成新的亲水性氧化膜。同时

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  半导体 半导体装备
• 半导体零部件清洗全流程解析

  半导体零部件清洗是保障半导体设备高性能、高可靠性及长寿命的关键工艺，其流程需兼顾污染物去除效率与材料兼容性。以下是半导体零部件清洗的核心流程： 预清洗 目的：去除大颗粒或松散污染物。 方法：机械刷洗（软毛刷或喷淋）、低压气流吹扫、初步溶剂冲洗（如DI水或低浓度酒精。 主清洗 湿法化学清洗 酸性清洗：使用HF溶液去除硅氧化物（SiO₂），适用于硅部件表面氧化层；SC-1配方（NH₄OH+H₂O₂）可

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  11/25 15:58

  半导体 零部件产业
• 晶圆基板清洗方法

  晶圆基板清洗是半导体制造中关键环节，目的是去除表面污染物（颗粒、有机物、金属离子、氧化物等），确保后续工艺（光刻、沉积、刻蚀）的良率和器件性能。以下是主要清洗方法及特点： 一、物理清洗法 超声波清洗 原理：利用高频声波在液体中产生空化效应，通过气泡破裂时的冲击力剥离表面附着物。 适用场景：去除大尺寸颗粒和松散污染物，常用于预处理阶段。 局限性：对纳米级间隙中的污染物清除效果有限，可能引起微裂纹扩展

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  11/24 16:37

  晶圆 器件
• 蚀刻工艺和外延工艺区别

  蚀刻工艺和外延工艺是半导体制造中的两个核心步骤，它们在功能、原理、材料变化及应用场景等方面存在显著差异。以下是详细的对比分析： 一、定义与核心目标 特性 蚀刻工艺（Etching） 外延工艺（Epitaxy） 主要目的  去除材料：通过化学或物理方法选择性地溶解特定区域的薄膜（如氧化层、金属层），形成沟槽、通孔或图案化结构。 生长材料：在单晶衬底上沉积一层或多层晶体结构匹配的新材料，扩展器件的功能

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  08/11 17:47

  碳化硅外延片 外延片
• 半导体蚀刻气体工艺要求

  半导体蚀刻气体工艺是干法蚀刻的核心，其要求涉及气体选择、纯度、流量控制、反应条件等多个方面，以确保高精度、均匀性和选择性。以下是详细的工艺要求及关键要素： 一、气体选择与分类 1. 蚀刻气体类型 氟基气体（如CF₄、SF₆、CHF₃）： 作用：蚀刻介质层（SiO₂、Si₃N₄）和硅。 特点：高反应性，易形成挥发性产物（如SiF₄）。 氯基气体（如Cl₂、BCl₃、CCl₄）： 作用：蚀刻金属（如A

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  07/15 15:41

  机械设计 自动化装备
• 实验室硅片清洗方法

  实验室硅片清洗是半导体工艺中的关键步骤，旨在去除硅片表面的有机物、无机污染物、颗粒和氧化层，确保表面洁净度和活性。以下是常见的实验室硅片清洗步骤，主要基于RCA清洗工艺（Radio Corporation of America标准）和兆声波辅助清洗技术。 一、清洗前准备 设备与材料： 清洗机（含兆声波、喷淋、加热功能）。 清洗槽（耐化学腐蚀材质，如PFA或石英）。 去离子水（DI Water，电阻

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  07/07 15:09

  硅片 大硅片
• wafer清洗失效时间是多少

  圆（wafer）清洗后的失效时间（即清洗后到表面再次出现污染或氧化的时间）取决于多种因素，包括清洗工艺、环境条件、晶圆表面材料以及后续处理方式等。以下是一个简要的分析： 1. 典型失效时间范围 常温常压下：在洁净的干燥环境中，清洗后的晶圆表面可能保持数小时到数天的洁净度，具体取决于环境湿度、颗粒浓度和表面吸附特性。 高湿度环境：如果环境湿度较高（如>50%），晶圆表面可能在几小时内吸附水分或

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  06/24 11:05

  半导体 半导体照明
• 晶圆湿法清洗吹扫氮气纯度要求

  晶圆湿法清洗后吹扫氮气（N₂）的纯度要求至关重要，直接影响晶圆表面洁净度、干燥效果及后续工艺良率。以下是关键分析： 1. 核心要求 典型纯度：99.999%（5N）以上，部分高端制程（如EUV光刻）可能要求99.9999%（6N）。 杂质控制重点： 氧气（O₂）：<1 ppm（避免氧化残留污染物或影响金属层）。 水蒸气（H₂O）：露点≤-70℃（防止水渍残留导致颗粒团聚或腐蚀）。 颗粒物：&

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  06/23 16:58

  硅晶圆 晶圆产能
• 芯片清洗剂中加成膜剂的作用

  在芯片清洗剂中，成膜剂的作用是通过在芯片表面形成一层均匀的保护膜，提升清洗效果并防止二次污染。以下是其核心功能及技术原理： 1. 核心作用 （1）防腐蚀保护 金属层防护：在清洗后，芯片表面的金属（如Al、Cu）暴露于空气中可能氧化或腐蚀。成膜剂（如硅烷偶联剂、苯并三氮唑）可形成惰性薄膜，隔绝氧气和水分，抑制金属腐蚀。 示例：BTA（苯并三氮唑）用于铜互连结构的防变色处理，形成致密有机膜。 （2）抗

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  06/23 16:57

  电流法 芯片植入
• 氮气吹扫和氧气吹扫区别

  氮气吹扫和氧气吹扫在工业应用中存在显著差异，主要体现在安全性、化学性质、适用场景等方面。以下是两者的核心区别： 1. 气体性质与安全性 氮气吹扫： 惰性气体：氮气（N₂）化学性质稳定，不易与其他物质反应，常用于防止氧化或爆炸。 安全性高：无燃爆风险，适合处理易燃易爆环境（如油品、化工管道）或对氧敏感的材料（如催化剂、电子元件）。 窒息风险：高浓度氮气可能导致缺氧，需在通风良好的环境中操作。 氧气吹

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  06/10 11:04

  半导体 清洗机
• 知识分享 spm清洗液配制方法 芯矽科技

  SPM清洗液（硫酸-过氧化氢混合物，H₂SO₄/H₂O₂）是半导体制造中常用的强氧化性清洗液，主要用于去除晶圆表面的有机物、金属污染和氧化物。以下是其配制方法及关键注意事项： 一、SPM清洗液配方 基础成分 浓硫酸（H₂SO₄）：98%浓度，提供强酸性和脱水性，促进氧化反应。 过氧化氢（H₂O₂）：30%浓度，作为氧化剂，分解有机物并氧化金属杂质。 去离子水（DI Water）：用于稀释，调节溶液

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  06/09 14:47

  半导体 清洗机
• 晶圆表面清洗后波纹缺陷怎么处理

  晶圆表面清洗后出现波纹缺陷（如水波纹、划痕或残留膜层不均匀），可能由清洗工艺、设备参数或操作不当导致。以下是系统性的解决方案： 1. 缺陷成因分析 清洗介质问题： 化学试剂（如DHF、SC-1溶液）浓度异常或污染，导致表面张力不均。 去离子水（DI Water）纯度不足（如颗粒、有机物残留），产生水斑或干燥痕迹。 设备因素： 兆声波（Megasonic）能量不均匀或功率过高，造成局部损伤。 离心甩

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  05/28 14:28

  晶圆
• 硅片清洗的操作要点一览

  硅片清洗是半导体制造中的关键工艺，旨在去除表面污染物（如颗粒、有机物、金属杂质和氧化物），确保后续工艺的良率和器件性能。以下是硅片清洗的操作要点一览： 一、清洗前准备 环境控制 在Class 1000级以上洁净室操作，避免空气中的颗粒污染。 温湿度控制：温度建议20-25℃，相对湿度<40%，防止水汽凝结。 使用防静电服、手套和无尘工具，避免人体污染。 硅片检查 检查硅片表面是否有划痕、裂纹

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  05/27 14:14

  硅片
• 半导体清洗的弊端与影响因素分析

  半导体清洗是芯片制造中的关键步骤，但其过程存在诸多弊端和影响因素，可能对器件性能、良率和成本产生负面影响。以下是详细分析： 一、半导体清洗的弊端 1. 化学污染与腐蚀风险 问题： 湿法清洗中使用的强酸（如H₂SO₄、HF）、强碱（如KOH）或有机溶剂可能残留在芯片表面，导致后续工艺（如光刻、沉积）的失效。 氟化物（如HF）可能腐蚀金属互连层（如铝、铜），生成氟化铝沉淀，影响电学性能。 案例： 过量

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  05/26 14:44

  半导体
• 硅片清洗效果检测方法

  硅片清洗完了，就是代表结束？当然不是，我们也需要检测效果的。那么，下面就迎来一个问题，就是硅片清洗效果检测应该用什么方法呢？

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  03/24 07:36

  硅片 工业机器
• 硅片如何清洗才是最正确的方法

  我们知道硅片清洗，但是如何清洗才是满足要求的方法呢？那就必须来给大家具体说说，正确的硅片清洗方法。希望大家一起学习与分享，因为只有正确的方法操作才能达到最终目标。

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  03/24 07:24

  硅片 工业机器

  
• 外延片清洗不净的原因

  最近大家都在说，虽然知道设备都需要清洗，离不开清洗步骤。我们已经非常重视了，但是始终还得面对一些问题，如外延片清洗不净的情况出现，那么面对这个情况我们应该如何应对与解决呢？ 外延片清洗不净可能有以下原因： 有机物残留 人体油脂等污染：操作人员的皮肤油脂、使用的防锈油和润滑油以及蜡等，都可能在清洗过程中接触到外延片，造成有机物沾污。如果清洗流程中未严格遵循使用真空镊子等夹具和机械手持片等规范操作，就

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  01/17 07:34

  工业电子

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